什么是场效应管

场效应管是场效应晶体管的简称，英文名是Field Effect Transistor缩写FET。

场效应管分两种类型，一种是juncTIon FET—JFET和metal-oxide semiconductor FET（简称MOS-FET）。

场效应管被称为单极型晶体管，是因为它由多数载流子参与导电，属于电压控制型半导体器件。

场效应管优点

具有输入电阻高（107～1015Ω），噪声小，功耗低，动态范围大，易于集成，没有二次击穿现象，安全工作区域宽。

 

场效应管原理

按照结构和原理可以分为：接合型场效应管和MOS型场效应管两种

 

接合型场效应管原理

N通道接合型场效应管如下图所示，

以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。

N型结晶区域的两端加上直流电压时，电子从源极流向漏极。电子所通过的通道宽度由从两侧面扩散的P型区域以及加在该区域上的负电压所决定。

加强负的栅极电压时，PN接合部分的空乏区域扩展到通道中，而缩小通道宽度。因此，以栅极电极的电压可以控制源极-漏极之间的电流。

 

接合型场效应管用途

即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。

 

 

 

MOS型场效应管原理

 

即使是夹住氧化膜（O）的金属（M）与半导体（S）的结构（MOS结构），如果在（M）与半导体（S）之间外加电压的话，也可以产生空乏层。再加上较高的电压时，氧华膜下能积蓄电子或空穴，形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。

在动作原理图上，如果栅极电压为零，则PN接合面将断开电流，使得电流在源极、漏极之间不流通。如果在栅极旧外加正电压的话，则P型半导体的空穴将从栅极下的氧化膜-P型半导体的表面被驱逐，而形成空乏层。而且，如果再提高栅极电压的话，电子将被吸引表表面，而形成较薄的N型反转层，由此源杖（N型）和漏极（N型）之间连接，使得电流流通。

 

MOS型场效应管用途

因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。