超级结MOS场效应管如何让辐射降低并提高效率 超级结可在平面MOS场效应管应用中提高效率，并可降低导通电阻和寄生电容，但会产生电压dv/dt和电流di/dt快速开关转换，形成高频噪声和辐射EMI。 快速开关超级结MOS场效应管要被驱动，要了解封装和PCB布局寄生效影响开关性能， 应用超级结所做PCB布局调整。 

PMOS场效应管变容管连接+压控特性 短接：漏+源+衬底 然后把它当作电容一极接高电平，栅极=另一极接低电平 电容值：与VBG 相关 VBG=衬底与栅间电压 PMOS场效应管变容管受衬栅电压VBG 影响，变容管电容作栅氧化层电容，与半导体空间电荷区电容串联，VBG > 阈值电压 形成反型载流子沟道，变容管工作在强反型区域； VG=栅电位 VB=衬底电位 VG>VB，变容管进入积累区 栅氧化层与半导体间界面电压>0，电子自由移动；

全桥整流式电路,此电路用了MOS场效应管4个，对管同时导通工作 MOS场效应管：Q1，Q2，Q3，Q4 半周期内： 导通：Q1、Q3 截止：Q2、Q4 导通：Q2、Q4 截止：Q1、Q3 由2个MOS场效应管分压，降低对MOS场效应管耐压要求 但MOS场效应管4个：开关损耗+损耗功率都相应增加， 若是应用于：大功率场合（农业机械）电能利用率降低，但能耗损失增大；

MOS场效应管组成：内部由晶胞并联 按单位面积计算或晶元面积越大，晶胞越多，导通电阻RDS)ON)越小; 单元G极和S极：是内部金属导体连接集成在晶元一个位置，导线引出管脚； 参考点在G极在晶元集成处，单元离此点越远，G极等效串联电阻越大； 晶胞单元有着不一致VGS电压，因串联等效栅极和源极电阻分压作用而形成； 晶胞单元电流不一致：在MOS场效应管开启过程，因栅极电容的作用； 晶胞热不平衡：在MOS场效应管开关瞬态过程 MOS场效应管等效模型, 导通过程，漏极电流ID渐渐上升，越接近栅极管脚晶胞单元电压越大，流过电流也越大，温度越高； 若：在离栅极管脚最远处，晶胞单元可能没导通；

MOS场效应管数据表中的典型传输特性,特别是25℃+175℃两曲线交点，此交点对应相应电压VGS和电流ID； 如果：交点VGS=转折电压， VGS转折电压左下部分曲线 VGS电压=一定值  越高温度，流过电流越大， 温度和电流形成正反馈，MOS场效应管RDS(ON)=负温度系数，此区域为负温度系数区域； VGS转折电压右上部分曲线 VGS=一定值，越高温度，流过电流越小， 温度和电流形成负反馈，MOS场效应管RDS(ON)=正温度系数，此区域为正温度系数区域；

设定：传统工艺，栅极顶部到外延层表面多晶硅去除量130 nm/230 nm/310 nm MOS场效应管电性能参数比较增加多晶硅去除量，即降低阈值开启电压，因此有效沟道的长度变短，源区离子经过侧壁注入沟道，源区结深在沟道表面变深； 漏源间漏电流即有区别 多晶硅去除量=310 nm 会增大部分区域漏电流，若减少多晶硅去除量，随着它减少即慢慢消失，因此刻蚀工艺与MOS场效应管性相关联； 如何解决它们的相关联 即应用突起式多晶硅技术；

MOS场效应管DC电气加散热电容模拟模型从左上角电流源开始，是系统增加热量模拟； 电流→裸片热容→热阻； 热量→裸片→引线框→封装灌封材料； →引线框热量→封装→散热片间接触面； 热量→散热片→热环境； 网络电压即高于环境温升 网络显示估算出的热容值+热阻值，此模型可环境和DC模拟，根据厂商提供 SOA 曲线图计算；

MOS场效应管应用于马达控制 它是典型半桥式控制电路，MOS场效应管2个，它们的关断时间或死区时间相等， 关键点是反向恢复时间trr； 控制电感式负载，控制电路把桥式电路MOS场效应管切换至关断时，桥式电路另一开关通过MOS场效应管体二极管临时反向传导电流，电流重新循环，即为马达供电持续； 其中一个MOS场效应管再次导通，一个MOS场效应管二极管存储电荷必定移除，即第一个放电，也损耗能量，越短trr， 越小损耗；

VDMOS电容和寄生电容决定其开关特性； VDMOS电容组成：栅源电容Cgs+栅漏电容Cgd+源漏电容Cds，开关速度受电容充放电限制主因 栅源间电容组成 Cgs(N+)=栅源交叠电容 Cgs(M)=栅与源金属间电容 Cgs(P)=栅与P-base间电容 表达公式为： Cgs=Cgs(N+)+Cgs(P)+Cgs(M) 它们的大小由VDMOS本身设计参数及介质层厚度决定； Cgd由两个电容串联表达式 如下所示 1/Cgd=1/Cgd(ox)+1/Cgd(dep)

MOS场效应管 W=10 μm L=0.18μm 测量条件 Vsource＝O  Vdrain＝0.1V  Vsub＝-1.8 V  Vg从0升至1.8 V； 实线是Id测量值，即可看到双峰现象； Vg区间小，测试电流值小且不准确，Vg=O.5～1.OV即双峰效应评估区间； 如上b图虚线是理想Id-Vg曲线 MOS场效应管在高Vg线性区和饱和区测量值 用多项式近似曲线拟合法Polynomi-al Regression Fitting反向推导