Mos管分类

MOSFET管是FET的一种，另一种是JFET;

它分为增强型，耗尽型，P沟道，N沟道共4种类型；

虽然分有4种类型，但实际应用的只有NMOS和PMOS，即增强型的N沟道和P沟道MOS管。

在NMOS和PMOS中，因为NMOS管导通电阻小，且容易，所以最常应用于开关电源和马达驱动中的是NMOS管。

 

MOS管的构造：

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。

在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。

这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管。

它的栅极和其它电极间是绝缘的。

 

同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管，a 和b分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。

 

 

MOS管的特性：

 

MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。即可得出：

1.MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2.MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

3.MOS管的电压极性和符号规则：

 

N沟道MOS管的符号：D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是 P沟道的MOS管。

P沟道MOS管的符号：MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作；