VMOS场效应管的结构特点应用及优势

 

VMOS英文全称：V-groove metal-oxide semiconductor

另一种叫法：V型槽MOS场效应管

 

VMOS管场效应管结构图如下：

VMOS特点

1.V型槽结构金属栅极

2.垂直导电性：漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+ 区（源极S）出发，经P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最终垂直向下到达漏极D

 

VMOS场效应管优势

1.输入阻抗可达108W甚至更高

2.驱动电流小0.1μA

3.耐压高最高1200V

4.工作电流范围大1.5A～100A

5.输出功率范围高1～250W

6.跨导的线性好

7.开关速度快

 

VMOS场效应管应用

1.电压放大器

2.功率放大器

3.开关电源

4.逆变器