MOS管饱和区沟道夹断电流不断-MOS管知识-竟业电子

MOS管作为开关作用，G极决定S极到D极开还是关；

MOS管分类：N沟道MOS管(NMOS管)+P沟道MOS管（PMOS管）

如NMOS管如下图所示：

绿色=N型富电子区域，黄色=P型富空穴区域

P型和N型交界处，一层耗尽层分隔或叫空间电荷区，

VT=开关的阈值  VG=G极电压

VT > VG  开关开启；

VT < VG  开关关闭；

原理：G极电压越大，感应电子越多，沟道越宽，G极与沟道间有氧化层隔离;

 

 

D极电极越大，G极靠近漏极相对电压小，沟道受影响宽窄不同，窄处电流密度大；

S极电流IDS根据它的电压VDS增大而线性增大的“线性区”。如下图所示：

 

 

G极电压绝对值没降低，如下图所示：

靠近漏极沟道变窄：因G极的影响部分被漏极抵消+部分G极吸引形成沟道电子被D极正电压吸过去。

当D极电压继续升高，超过G极电压，沟道右边不满足开通条件而“夹断”。因G极对电子

要注意的是，这时栅极电压绝对值并没有降低，靠近漏极沟道变窄的原因，是栅极的影响力吸引力被漏极取代，此时MOS管进入“饱和区”，电流难大过电压。

 

理论：沟道“夹断”

实际：夹断点薄弱，夹断点支撑它并不是原来P型区域，而是电压升高吸引电子D极及其空间电荷区，因此电子冲入空间电荷区；

 

饱和区：沟道“夹而不断”

D极沟道越来越窄，高速电子过来，挤过夹断点进入空间电荷区，D极正电场高速收集，D极电压越高，夹断点越后退，电子难穿过，饱和区电流不再随电压增大而线性增大。