NMOS管导通特性-PMOS管导通特性-竟业电子

MOS管分类

MOS管即MOSFET全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;

MOSFET可分：增强型+耗尽型，P沟道 + N沟道

通常被使用是：增强型N沟道MOS管 + 增强型P沟道MOS管

 

NMOS管优势

1.导通电阻小；

2.易制造；

如上图所示：漏极与源极间有寄生二极管；

寄生二极管：单个MOS管中存在，集成电路芯片内部没有；

 

 

NMOS管导通特性：

Vgs  > 一定值， 导通；

应用：源极S接地，低端驱动，栅极电压=4V或10V； 

实际应用：栅极电压 > 4V或10V，才可完全导通；

 

PMOS管导通特性：

Vgs < 一定值，导通；

应用：源极接VCC，高端驱动； 

缺点：导通电阻大，成本高；

 

NMOS与PMOS开关管损耗

导通后有导通电阻，电流在此电阻耗量，即导通损耗；

应用选择时，选择导通电阻小MOS管来减小导通损耗； 

导通和截止，并不是在瞬间完成，

MOS管两端电压有下降，电流上升过程，出现开关损耗=电压与电流乘积；

开关频率越高，损耗越大；

减小开关损耗：

1.缩短开关时间：减小每次导通时损耗；

2.降低开关频率：减小单位时间内开关次数；

 

MOS管驱动注意事项

1.可提供瞬间短路电流大小；

原因：MOS管驱动是对电容充放电，充电需电流，电容充电瞬间可作电容短路，瞬间电流大；

 

2.选择合适外接电容；

原因：高端驱动NMOS管，导通需 栅极电压 > 源极电压，

MOS管导通，源极电压=漏极电压（VCC）

栅极电压 > VCC+(4V或10V)

因此，要专门升压电路；