场效应管结构图和晶体管结构图-场效应管晶体管特点区别-竟业电子

晶体管：英文transistor

一切以半导体材料为基础的单一电子元器件，包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。

晶体管有时多指晶体三极管。

三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管BJT+场效应晶体管FET，单极性。

如下图所示

场效应晶体管：英文Field Effect Transistor缩写FET  简称场效应管。

主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)+金属 氧化物半导体场效应管metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

 

场效应管特点

1.多子导电

2.电压控制电子元器件；

3.栅极基本不取电流；

4.应用：放大器件+可控开关+作压控可变线性电阻

5.源极和漏极结构对称，可互换使用，耗尽型MOS管栅极—源极电压可正可负；

6.工作条件：小电流+低电压即可工作；

7.可集成在一块硅片上，在大规模集成电路中应用；

 

晶体管特点

1.两种载流子均参与导电；

2.电流控制电子元器件；

3.基极必须取一定的电流；

4.应用：放大器件+及可控开关；