N沟道增强型MOSFET结构及工作原理-MOSFET知识-竟业电子

 N沟道增强型MOSFET结构图及符号如下所示：

 

Ucs对i控制作用

UGs=0    没有N型导电沟道

UGs≥UGs(th)  出现N沟道

可通过UGs控制N型沟道的厚度，

此时在UDS作用，产生漏极电流iD  

UGs越大导电沟道越厚, 沟道电阻值越小，在UDS作用，开始导电UGs成为开启电压， 用UGs(th)表示。

因场效应管在UGs≥UGs(th) 时，形成导电沟道，也称之为增强型场效应管。

 

UDS对i的影响

UGs≥UGs(th) 导电沟道形成， 此时外加漏源电压UDS将产生漏极电流iD 

UDS较小， iD随UDS增大而迅速增大。

UDS增加到UDS=UGs-UGs(th)，靠近漏极端沟道厚度=0，出现预夹断。

若UDS继续增大，使UDS>(UGs-UGs(th) ) 导电沟道的夹断点向源极方向移动，夹断区域向源极方向延伸，沟道电阻增大，电流iD趋于饱和，基本不随UDS的变化而变化， 仅取决于UGs

 

N沟道增强型MOSFET特性曲线

分：输出特性+转移特性

输出特性：可变电阻区+放大区(饱和区)+击穿区+截止区

转移特性

UDS=常数

从输出特性曲线上用作图法求出

UGs=0 无导电沟道

UGs≥UGs(th) 出现导电沟道

UGs>UGs(th)  UDs小  iD迅速增大

UGs>UGs(th)   UDs大 iD 趋于饱和

 

增强型MOSFET转移特性

以UDS为参变量，漏极电流iD 随栅源电压UGs变化的关系曲线

漏极电流iD 近似表达式为

当UGs>UGs(th)  IDO 是UGs=2UGs(th) 漏极电流 iD

公式如下