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VMOS场效应管在检测中应注意事项-MOS场效应管知识-竟业电子

时间:2020/10/21阅读:2013 关键词:MOS场效应管

VMOS功率场效应管外形及内部结构如下图所示

 

1.VMOS场效应功率模块,应用于:交流电机调速器+逆变器

如:IRFT001型模块,内部有N沟道P沟道管各三构成三相桥式结构

 

2.N沟道 VNF系列产品Supertex 超高频功率场效应管

如:应用在:高速开关电路+广播+通信设备

最高工作频率fp=120MHzIDSM=1A  PDM=30W  共源小信号低频跨导gm=2000μS

 

3.VMOS场效应散热器后才能使用;

如:VNF306加装140mm×140mm×4mm 散热器,即最大功率可达30W

 

4.VMOS场效应=N沟道+P沟道

大部份是N沟道,因P沟道测量时应交换表笔位置

 

5.有些VMOS效应在栅极G与源S间有保护二极管