碳化硅mosfet驱动电路设计要求 1.峰值电流Imax要更大，米勒平台持续时间要减小，提高速开关； 2.驱动芯片驱动能力要强； 3.用负压关断，因噪声干扰会导致误开通； 4.驱动电路寄生电感尽可能的减小影响； 5.增加吸收电容：在布局PCB时加入适量吸收电容； 6.驱动电压要足够大，减小导通损耗； 7.驱动电流要足够大； 8.驱动回路阻抗要小，开通时快速对栅极电容充电，关断时栅极电容能够快速放电； 9.触发脉冲有比较快的上升速度和下降速度，脉冲前沿和后沿要陡；

EiceDRIVER™汽车用电隔离单通道IGBT驱动芯片 英飞凌1ED020I12FTA特征概要 1.无芯变压器隔离驱动器 2.集成保护功能 3.适合在高环境温度下运行 4.汽车合格 5.2A轨对轨输出 6.V（cesat）-检测 7.活动米勒夹 8.两级关断 英飞凌1ED020I12FTA优势 1.具有成本效益的技术 2.紧凑的设计

1.R＋C的启动电路中电阻损耗，在待机时损耗大； 解决方案： 1.兼容产品启动+短路能力+取大R值 2.不让R工作 2.变压器待机时的铁损+铜损 解决方案： 1.铁损：受(工作频率+感量值)影响，因此设计变压器时注意工作频率值+感量值要在适合范围内； 2.铜损：很小，影响不大，设计变压器时适当选择线径+匝数； 3.开关MOS管场效应管待机时损耗 解决方案： 1.芯片选择：（降低空载+轻载）的工作频率+低栅荷MOS管效应管 2.（整流管+反向恢复+导通）的损耗，选导通压降+反向恢复时间短的二极管

穿通击穿： 穿通击穿受多晶栅长度影响 1.破坏性击穿并不会出现， 原因：场强没有达到雪崩击穿场强，并不会产生大量电子空穴对； 2.在沟道中间发生； 原因：穿通不容易发生在沟道表面，沟道注入使表面浓度大形成，NMOS管场效应管有防穿通注入； 3.发生在沟道中间：鸟嘴边缘浓度 > 沟道中间浓度 4.软击穿：击穿过程中，电流渐渐变大； 原因：耗尽层扩展较宽，同时发生DIBL效应，源衬底结正偏出现电流渐渐变大； 5.软击穿点：在源漏的耗尽层相接时，源端载流子注入耗尽层中，被电场加速达到漏端，电流变大，与雪崩击穿电流不同，与源衬底PN结正向导通时电流相同。

MOS管场效应管在电路设计中注意事项 1.接地：要求一切接地，如：线路，测试仪器，焊接工具等，不然MOS管场效应管栅极感应会被击穿，人体也要接地，如采用接地环； 2.接入电路前，MOS管场效应管全部的引线端保持互相短接状态； 3.管脚：先焊源极，焊接全部完成后去掉短接材料;(如果条件允许：使用气热型电烙铁比较好) 4.电源未关断MOS管场效应管：不可从电路中拔出或插人电路； 5.在电路设计时，要注意MOS管场效应管的参数，不能超过参数的最大值（耗散功率，漏源电压，栅源电压，电流等） 6.MOS管场效应管保养：不用时应金属屏蔽包装，把引出脚短路，防潮，千万不可用塑料包装； 7.MOS管场效应管的偏置极性要遵守，栅源漏间PN结，N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压； 8.安装注意：位置远离发热元件，管壳体要固定，管脚引线弯曲 >根部尺寸5毫米处，不然弯断管脚引起漏气；

如果电源反接，那么电路可能就是损坏，有时电源接反不可避免，因此我们必须要给电路加入保护电路。 保护电路方法： 1.电源正极串联一个二极管； 缺点：因二极管有压降，电路必有损耗，电池寿命减短。 2.接MOS管； 优势：压降小（可忽略不计），MOS管价格低。

PMOS管是n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管 PMOS管的S极与D极导通（开与关）条件：是G极与S极之间电压差低于阈值时 实际应用：控制P-MOS管的开，关，是控制信号接G极，S极接VCC时。 S D极导通后：导通电阻Rds(on)很小，电流流通后：形成压降很小 PMOS管应用 如何控制电源开与关 PMOS管开与关控制，实际是控制Vgs电压，以达到控制电源开关 电路图（模拟测试）如下： Key闭合前：PMOS输出电压 16.441MV Key闭合后：PMOS输出电压 5V

什么时NMOS管 NMOS管全称：N-Metal-Oxide-Semiconductor NMOS管是N型金属-氧化物-半导体，把有这种结构晶体管叫作NMOS晶体管。 N-MOS管的D极和S极导通条件：G极与S极之间电压差超过阈值的时候； 在实际应用时：要控制N-MOS管的开，关，是在控制信号接G极，S极接GND，D极与S极导通，Rds(on)（导通电阻）很小，在电流流通后，它所形成压降很小。

与MOS管场效应管连接，指示灯常亮，但单片机无法正常运行，断开与MOS管场效应管和电感的连接， 指示灯正常闪烁3次，单片机正常运行，

全桥开关电源驱动模块：用IR2101及TL494设计，如下图20A  IRFP460 MOS管场效应管开关电源驱动模电路板（可接1KW-1.5KW开关电源）MOS管场效应管IR2101：IO输出0.6A 可驱动20A 功率MOS管 IRFP460