东芝最新推出的MOS管场效应管TPH2R408QM和TPN19008QM是属于U-MOS X-H系列，是用最新一代工作制造技术，它们都属于80V N沟道功率MOS管场效应管。 MOS管场效应管TPH2R408QM和TPN19008QM应用： 1.数据中心工业设备开关电源 2.通信基站工业设备开关电源 3.高效AC-DC转换器、DC-DC转换器（开关电源） 4.电机控制设备（电机驱动等）

更换CoolMOS™ C3是CoolMOS™ P7 900伏CoolMOS™ C3是英飞凌的第三系列CoolMOS™ 2001年进入市场。C3是投资组合中的“主力军”。 英飞凌MOS管IPD90R1K2C3功能特征 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™ 质量 5.CoolMOS公司™ 自1998年以来，英飞凌一直在生产技术

英飞凌Infineon CoolMOS™  P6超结MOSFET系列的设计，使更高的系统效率，同时易于设计。正向电阻™ P6缩小了专注于提供最终性能的技术与更专注于易用性的技术之间的差距。 英飞凌MOS管IPW60R070P6功能特征 1.降低栅极电荷（Q g） 2.较高的V th 3.良好的体二极管坚固性 4.优化的集成R g 5.从50V/ns提高了dv/dt 6.CoolMOS公司™ 具有12年以上超级连接技术制造经验的质量

驱动或电源设计中，要使用到MOS管场效应管的开关作用。 MOS管场效应管的两种型号N型和P型都是由加在输入端栅极电压控制输出端漏极电流， MOS管场效应管并不会发生因基极电流引起的电荷存储效应，并且开关的速度反应快，所以在设计中不选择三极管页选择MOS管场效应管的原因。

英飞凌的100V OptiMOS™ 功率mosfet为高效率、高功率密度的开关电源提供了优越的解决方案。与次优技术相比，这一系列产品的研发（on）和性能指标（FOM）都降低了30%。 英飞凌MOS管场效应管IPB042N10N3G的功能特征 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2 英飞凌MOS管场效应管IPB042N10N3G的优势 1.环保 2.提高效率 3.最高功率密度 4.需要较少的并联

MOS管场效应管与三极管比较 1.功能：MOS管电压控制，三极管电流控制 2.功耗：MOS管损耗小，三极管损耗大 3.成本：MOS管比三极管贵 4.驱动能力：mos管电源开关，大电流电路开关控制，基极或漏极控制电流比较敏感处 5.三极管数字电路开关控制，在没有足够资金时，先考虑三极管，其次是MOS管 MOS管场效应管优势 1.MOS管场效应管：高输入阻抗+低噪声。 2.MOS管场效应管：结型和绝缘栅型。 3.MOS管场效应管电压控制，晶体管电流控制： 当只允许从信号源取较少电流时，即选场效应管； 当信号电压较低，允许从信号源取较多电流时，即选晶体管； 4.MOS管场效应管：源极和漏极可互换使用，栅极电压正负互换，灵活性好。 5.MOS管场效应管：小电流+低电压下工作，场效应管可集成在硅片上，在集成电路中应用。

MOS管设计开关电源或是马达驱动电路，我们经常考虑的是MOS管（场效应管）的导通电阻，最大电压及电流因素，但是这并不是完美的设计，甚至在正式设计中是不被接受的。 MOS管（场效应管）种类和结构 MOS管（场效应管）= FET + JFET，可设计成 增强型 + 耗尽型 + P沟道 + N沟道 最常用到的是：增强型的N沟道（NMOS） + 增强型的P沟道（PMOS） 增强型的N沟道（NMOS）优势是：通电阻小 + 容易设计，因此在开关电源，马达驱动 最常用； MOS管（场效应管）有三个管脚，分别是G、S、D,三个管脚之间存在寄生电容,因制造工艺限制，寄生电容会让设计及选择驱动电路时会复杂一些； MOS管（场效应管）的漏极和源极之间有一个寄生二极管，我们把它叫作体二极管，在驱动感性负载（如马达）中此二极管非常重要的，但此二极管在集成电路芯片内部是没有的。

更换CoolMOS™ C3是CoolMOS™ P7 800伏CoolMOS™ C3是英飞凌的第三系列CoolMOS™ 2001年进入市场。C3是投资组合中的“主力军”。 英飞凌MOS管场效应管SPP17N80C3的功能特征概要 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™ 质量 5.CoolMOS公司™ 自1998年以来，英飞凌一直在生产技术

集成电源管理芯片与800V雪崩坚固型CoolMOS集成™DIP-7软件包中的启动单元和定频电流模式反激式PWM控制器。可用于24W开关电源设计。附加功能包括：输入电压不足功能、达到极低待机功耗的主动突发模式操作、获得低EMI的频率抖动、便于负载跳跃的可调消隐窗口和允许您从整流线路快速给控制器供电的高压启动单元。 英飞凌MOS管ICE3BR2280JZ功能特征概要 1.峰值电流控制（电流模式） 2.65kHz固定开关频率，频率抖动（低EMI） 3.可调消隐窗口 4.增强的主动突发模式（低待机功率<100mW） 5.增强的集成保护功能（自动重启） 6.精确的峰值功率限制 7.调制门驱动 8.浏览 9.自动重启启用引脚等。

gh侧功率开关，集成垂直功率场效应管，提供嵌入式保护和诊断功能。 ​​​​​​​ MOS管（场效应管）BTS723GW特征概要 1.非常低的待机电流 2.CMOS兼容输入 3.改善电磁兼容性（EMC） 4.感应负载快速消磁 5.欠压时的稳定行为 6.宽工作电压范围 7.独立于负载接地的逻辑接地 8.优化的逆电流能力 9.过载保护 1.电流限制 11短路保护 12.热关机 13.过电压保护（包括甩负荷） 14.带外部电阻器的反向电池保护 15.静电放电（ESD）保护 16.开漏诊断输出 17断开状态下的打开负载检测 18热关机状态反馈 19反向电流时，两个通道的诊断反馈均正常工作