我们一般把MOS管（场效应管）称之为被电压控制的元器件；  在MOS电容的栅极相对于衬底正偏置时，穿过栅极绝缘层的电场加强，会有更多的电子从BACKGATE被拉上，并且空穴被排斥出表面。 当栅极电压的升高时，会出现表面电子比空穴更多，电子过过剩，硅表层因此像N型硅， 掺杂极性的反转被称为inversion，反转硅层叫做沟道。 栅极的电压不断的上升，在其的表层聚集的电子不断的增多，沟道则变成强反转，在沟道形成的电压称之阈值电压Vt，栅极与衬底之间产生电压小于阈值电压Vt时，并不会形成沟道； 1.如果说MOS管（场效应管）是电压控制的元器件，那么晶体则是电流控制的元器件，

650V CoolMOS的更换™ CFD2为600V CoolMOS™ CFD7型 650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的mosfet。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 英飞凌MOS管IPW65R080CFD的功能特征概要 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.较紧的RDS（开）max到RDS（开）typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比，价格更低

OptiMOS™ 5功率MOSFET在SuperSO8封装提供了最新的技术，并在封装温度的改善。这种新的组合使得更高的功率密度和更强的鲁棒性。 与额定值较低的设备相比，175°C TJ_MAX功能在较高的工作结温度下提供更多的功率，或在相同的工作结温度下提供更长的使用寿命。此外，安全操作区（SOA）的性能提高了20%。这个新的软件包功能非常适合电信、电机驱动和服务器等应用。 英飞凌MOS管BSC014N06NST的特征概要 1.低RDS（开） 2.针对同步整流进行优化 3.增强了SuperSO8的175°C性能 英飞凌MOS管BSC014N06NST的优势 1.寿命更长 2.最高效率和功率密度 3.最高的系统可靠性 4.热稳定性

OptiMOS™  560V优化用于开关电源（SMP）中的同步整流，如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些器件是广泛的工业应用的完美选择，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌MOS管BSC066N06NS的功能特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.比替代设备的Rd（开）低40% 3.与同类设备相比，FOM提高了40% 4.符合RoHS-无卤素 5.MSL1级

英飞凌的100V OptiMOS™ 功率mosfet为高效率、高功率密度的开关电源提供了优越的解决方案。与次优技术相比，这一系列产品的研发（on）和性能指标（FOM）都降低了30%。 英飞凌MOS管BSC060N10NS3G的功能特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

英飞凌的100V OptiMOS™ 功率MOS管为高效率、高功率密度的开关电源提供了优越的解决方案。与次优技术相比，这一系列产品的研发（on）和性能指标（FOM）都降低了30%。 英飞凌MOS管IPD068N10N3G的特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

英飞凌MOS管BSC039N06NS的功能特征 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发投入比上一代产品减少43% 英飞凌MOS管BSC039N06NS的优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调 英飞凌MOS管BSC039N06NS的应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

英飞凌MOS管BSC035N10NS5的特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发投入比上一代产品减少43% 英飞凌MOS管BSC035N10NS5的优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调 英飞凌MOS管BSC035N10NS5的应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

英飞凌MOS管BSC028N06NS的特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.比替代设备的Rd（开）低40% 3.与同类设备相比，FOM提高了40% 4.符合RoHS-无卤素 5.MSL1级 英飞凌MOS管BSC028N06NS的优势 1.最高的系统效率 2.需要较少的并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.超低电压 英飞凌MOS管BSC028N06NS的应用 1.同步整流 2.太阳能微型逆变器 3.隔离DC-DC转换器 4.12-48V系统的电机控制 5.Or-ing开关

英飞凌的40V和60V产品系列不仅具有业界最低的R D D（开），而且对于快速切换应用程序来说，具有完美的切换行为。先进的薄晶片技术实现了比替代器件低15%的rd（on）和31%的优值（R DS（on）x Q g）。 MOS管BSC014N04LS的概要 1.针对同步整流进行优化 2.比替代设备的Rd（开）低15% 3.与同类设备相比，FOM提高了31% 4.符合RoHS-无卤素 MOS管BSC014N04LS的优势 1.最高的系统效率 2.需要较少的并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.超低电压