英飞凌的40V和60V MOSFET产品系列不仅具有业界最低的RDS（on）特性，而且对于快速开关应用来说，还具有完美的开关特性。通过先进的薄晶片技术，与替代器件相比，RDS（on）和RDS（on）x Qg分别降低了15%和31%。 MOS管BSC010N04LS的功能概要 1.针对同步整流进行优化 2.比替代设备的RDS（on）低15% 3.与同类设备相比，FOM提高了31% 4.符合RoHS-无卤素 5.MSL1级 MOS管BSC010N04LS的优势 1.最高的系统效率 2.需要较少的并联

OptiMOS™ 是高效发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动汽车）解决方案的市场领导者。 MOS管BSC057N08NS3 G的概要 1.DC-DC转换器的优化技术 2.出色的栅电荷x R DS（ON）产品（FOM） 3.卓越的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.低剖面（<0,7mm） 7.N通道，正常电平

650V CoolMOS™CFD2的替代品是600V CoolMOS™CFD7 650V CoolMOS™CFD2是英飞凌第二代市场领先的高电压CoolMOS™mosfet，带有集成快体二极管。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 MOS管IPP65R190CFD的特征概要 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低

600V CoolMOS™C6替代600V CoolMOS™C3 650V CoolMOS™C6替代650V CoolMOS™C3 MOS管IPP60R190C6的特点概要 1.易于控制切换行为 2.由于非常低的价值（R D（开）*Q g和E oss）而造成的极低损失 3.很高的换相强度 4.易于使用 5.轻载效率高于C3 6.卓越的可靠性和久经考验的CoolMOS™质量，结合高体二极管坚固性 7.与前几代CoolMOS™相比，性价比更高

MOS管有FET和JFET两种; 它分为增强型，耗尽型，P沟道，N沟道共4种类型； MOS管结构： MOS管有三个引脚，漏极D，源极S及栅极G； mos管三个引脚顺如何区分 PMOS 管测试方法 用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是漏极D，负极是源极S，另一个则是栅极G。 NMOS测试方法 用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是源极S，负极是漏极D，另一个则是栅极G。

替换600V CoolMOS™C3的是CoolMOS™P7 600V CoolMOS™C3是英飞凌2001年推出的第三系列CoolMOS™产品。C3是投资组合中的“主力军”。 MOS管SPW20N60C3的特点概要 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术 MOS管SPW20N60C3的优势 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能

150V OptiMOS™的R D（开）降低了40%，性能指标（FOM）降低了45%。这种巨大的改进带来了新的可能性，比如从含铅的软件包转移到SMD软件包，或者用一个OptiMOS™部件有效地替换两个旧部件。 MOS管BSC360N15NS3 G的功能概述 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

金属氧化物半导体MOS)管可分为N沟道与P沟道两大类： P沟道硅MOS管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极； 两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。

MOS管IPP075N15N3 G的功能概述 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2 MOS管IPP075N15N3 G的优势 1.环保 2.提高效率 3.最高功率密度 4.需要较少的并联 5.最小的板空间消耗 6.易于设计的产品 MOS管IPP075N15N3 G的应用 1.交直流开关电源的同步整流 2.48V–80V系统（即家用车辆、电动工具、卡车）的电机控制 3.隔离DC-DC转换器（电信和数据通信系统）

CoolMOS™C3的替代品是CoolMOS™P7 800V CoolMOS™C3是英飞凌的第三个CoolMOS™系列，2001年进入市场，C3是组合中的“主力军”。 Mos管SPW17N80C3的功能概述 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经实践验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术