MOS管产品选择重点看这几点：选择PMOS管还是NMOS管 ，MOS管的额定电流选择 ，开关性能的选择及MOS管的散热，选择MOS管产品之前,首先要先了解什么是MOS管? MOS管的作用？才能更好的选择。 什么是MOS管： MOS管是金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管。 MOS管分类： MOS管分分为N沟道与P沟道两大类即NMOS管和PMOS管；

MOS管SPD02N80C3的功能概述 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术 MOS管SPD02N80C3的优势 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性 MOS管SPD02N80C3的应用： 1.消费者 2.PC电源 3.适配器 4.照明 5.太阳能

MOS管IPW60R070C6的功能概述 1.易于控制切换行为 2.由于非常低的价值（R D（开）*Q g和E oss）而造成的极低损失 3.很高的换相强度 4.易于使用 5.轻载效率高于C3 6.卓越的可靠性和久经考验的CoolMOS™质量，结合高体二极管坚固性 7.与前几代CoolMOS™相比，性价比更高 8.更高效、更紧凑、更轻、更凉爽 MOS管IPW60R070C6优势 1.提高功率密度 2.提高可靠性 3.通用部件可用于软交换和硬交换拓扑 4.更好的轻载效率 5.提高硬交换应用的效率 6.提高易用性 7.减少由于pcb布局和封装寄生效应而可能出现的振铃 MOS管IPW60R070C6应用 1.消费者 2.适配器 3.情绪化 4.服务器和电信的PFC阶段 5.脱脂奶粉 6.PC电源 7.太阳能 8.照明

场效应管IPW65R045C7的功能概述： 1.650V电压 2.革命性的一流R DS（开）/包装 3.输出电容（Eoss）中存储的能量减少 4.较低的门电荷Qg 5.通过使用较小的包装或减少零件来节省空间 6.12年超连接技术制造经验 场效应管IPW65R045C7的优势： 1.提高了安全裕度，适用于开关电源和太阳能逆变器应用 2.最低传导损耗/封装 3.低开关损耗 4.更好的轻载效率 5.提高功率密度 6.卓越的CoolMOS™质量 场效应管IPW65R045C7的应用： 1.电信 2.服务器

场效应管SPW35N60C3的功能概述： 1.低比导通电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.经现场验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术 场效应管SPW35N60C3的优势： 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性 场效应管SPW35N60C3的应用： 1.服务器 2.电信 3.消费电子 4.PC电源 5.适配器

650V CoolMOS™CFD2的替代品是600V CoolMOS™CFD7 650V CoolMOS™CFD2是英飞凌第二代市场领先的高电压CoolMOS™mosfet，带有集成快体二极管。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 MOS管IPW65R041CFD的功能概述： 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.较紧的RDS（开）max到RDS（开）typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比，价格更低 MOS管IPW65R041CFD的优势: 1.由于重复换向体二极管的低Qrr而导致的低开关损耗 2.自限di/dt和dv/dt 3.低生活质量 4.减少开启和开启延迟时间

DPS368的优点 1.超小型 2.防水 3.防尘 4.防潮 DPS368的应用 1.移动 2.提供活动跟踪和导航等可穿戴设备 3.家用电器的气流控制 4.无人机的飞行稳定性 5.医疗设备 6.智能吸入器 DPS368的特点：  DPS368小型化的数字气压传感器能够同时测量压力和温度，提供了超高精度的±2厘米和低电流消耗的高度，气流和身体运动的精确测量。 由于有着坚固的包装，DPS368可以承受50米的水下一小时（IPx8）和保护感测单元免受灰尘和湿度。因此，装配线上的板处理也很方便。与其他防水传感器相比，8针LGA封装的小尺寸为2.0 x 2.5 x 1.1 mm 3，节省了高达80%的空间。

150V OptiMOS™的R D（开）降低了40%，性能指标（FOM）降低了45%。这种巨大的改进带来了新的可能性，比如从含铅的软件包转移到SMD软件包，或者用一个OptiMOS™部件有效地替换两个旧部件。 MOS管IPB072N15N3 G的功能概述： 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

MOS管是金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管，它分为N沟道与P沟道两大类即NMOS管和PMOS管；PMOS的工作原理： PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，NMOS的工作原理：vGS对iD及沟道的控制作用  vGS=0 的情况 增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

50V CoolMOS™CFD2是英飞凌第二代市场领先的高电压CoolMOS™mos管，带有集成快体二极管。CFD2装置是600V CFD的后继产品，提高了能效。较软的换相行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部分。 场效应管MOS管功能概述： 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压超调 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.较紧的RDS（开）max到RDS（开）typ窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比，价格更低