英飞凌扩大了批量生产，加速了coolsic™mos管在分立外壳中的广泛应用。

英飞凌科技股份有限公司进入1200 V CoolSiC™mos管器件综合产品组合的大批量生产。它们的额定值从30 mΩ到350 mΩ，并安装在TO247-3和TO247-4壳体中。扩展包括一个表面贴装器件（SMD）组合和一个650V的Coolsic mos管产品系列，这两个系列都将很快推出。通过这些产品，英飞凌解决了在电源转换方案中对节能碳化硅解决方案的快速增长需求，如电池充电基础设施、储能解决方案、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及服务器和电信交换模式电源（SMPS）。

 

“在英飞凌，新的基础技术的推出需要严格的质量标准，”英飞凌工业动力控制部门总裁彼得·沃尔说。“大批量生产的生产流程必须得到证明，即使是在组装独立的外壳时，也必须对前端和后端进行验证。这包括统计数据的收集、生产监控和超出标准化程序的应用相关测试。在碳化硅（SiC）mos管基片技术的生产坡道安全完成后，我们现在正在向市场推出最全面的工业应用分立SiC产品组合”。

 

至于所有先前推出的to247和easy功率模块封装coolsic mosfet引线产品，新的分立器件建立在领先的沟道sicmosfet半导体工艺基础上。该工艺的开发既考虑了应用中的最低损耗，又考虑了运行中的最高可靠性。此外，根据相关的应用概况，采用门源工作电压作为离散封装方案。一个低动态损耗的基准可以通过一个简单的单极栅极驱动方案实现最高的效率。

 

coolsic沟道技术具有高阈值电压额定值（v th），大于4v，结合低米勒电容。因此，与市场上其他SiC mos管相比，CoolSiC mos管具有同类产品中最好的抗寄生开启效应。连同一个18 V的导通栅源电压与5 V裕度到最大额定电压+23 V，新的英飞凌SiC离散mos管提供优于硅（Si）IGBT，超结mos管，以及超过其他SiC mos管的最高水平。

 

包括一个坚固的体二极管额定为硬换流，coolsic mos管组合给工程师一个途径，以最高的能源效率，使“更多的少”。SiC材料中的mos管功能在功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑结构和任何硬、软开关DC-DC转换器或DC-AC逆变器中提供了新的系统设计灵活性。

 

英飞凌通过一系列精选的驱动芯片产品完成了其独立产品，满足了超高速SiC mos管开关特性带来的需求。coolsic mos管和eicedriver™门驱动器集成电路共同利用了该技术的优势：提高了效率、节省了空间和重量、减少了部件数量、提高了系统可靠性。总之，这为降低系统成本、降低运营成本和总拥有成本提供了可能性，使新的解决方案能够应用于能源智能世界。