MOS场效应管双峰效应评估方法-MOS场效应管应用-竟业电子

MOS场效应管双峰效应评估方法

如下a图所示

N沟道MOS场效应管Id-Vg测量曲线

 

MOS场效应管

W=10 μm

L=0.18μm

 

测量条件

Vsource＝O  Vdrain＝0.1V  Vsub＝-1.8 V  Vg从0升至1.8 V；

实线是Id测量值，即可看到双峰现象；

 

Vg区间小，测试电流值小且不准确，Vg=O.5～1.OV即双峰效应评估区间；

 

如上b图虚线是理想Id-Vg曲线

MOS场效应管在高Vg线性区和饱和区测量值

用多项式近似曲线拟合法Polynomi-al Regression Fitting反向推导

 

如上图中

实线测量值+虚线拟合值阴影：

即得出MOS场效应管漏电程度

阴影面积：即双峰效应量化评估值；