MOS场效应管辐射如何降低-MOS场效应管-竟业电子

超级结MOS场效应管如何让辐射降低并提高效率

超级结可在平面MOS场效应管应用中提高效率，并可降低导通电阻和寄生电容，但会产生电压dv/dt和电流di/dt快速开关转换，形成高频噪声和辐射EMI。

快速开关超级结MOS场效应管要被驱动，要了解封装和PCB布局寄生效影响开关性能，

应用超级结所做PCB布局调整。 

 

使用超级结MOS场效应管击穿电压=500-600V

如下图所示

 

典型引线电感=10 nH，即可让MOS场效应管di/dt=500 A/μs

若：di/dt=500A/μs，10nH引线电感上电压VIND = 5 V

10nH引线电感关断di/dt=1,000 A /μs，产生电压VIND = 10 V

 

注意：附加电感产生的电压不可忽视；

封装总源极电感，绑定线和引脚电感要降低，到可接受数值。

 

布局寄生效应产生的噪声

可见布局寄生效应：寄生电感+寄生电容

1 cm走线电感=6-10 nH

 

在PCB顶部和底部各添加GND层，电感值即可降低；

如上图b，布局中容性寄生效应原理

寄生电容引起：两条相近走线或走线间与另一侧地平面间。

 

第二种电容：为元件和地平面间电容。

PCB 板两面：两个并行走线可增加电容+减少回路电感，即可减少电磁噪声辐射。