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设计应用

  • 电池供电应用中的电机控制
    电池供电应用中的电机控制
    对于电池供电的应用,如轻便电动汽车(如Pederecs和电动自行车)或各种无绳电动工具,节约电池电量是关键。英飞凌为电源管理、功耗和电压调节提供了一系列优秀的设备,如Coolmos™功率mosfet、xmc™微控制器、eicedriver™门驱动器和n通道optimos™设备。所有这些都具有最高的能源效率和最高的精度。

    时间:2019/10/16键词:电池

  • 计算和数据存储
    计算和数据存储
    R13高密度智能服务器解决方案,数据存储设计高功率密度和高效率结合。将带您的数据存储项目到下一个层次:其创新的数字控制器的核心和内存。VR13特点:1.最有效的功率级和综合负载点,2.基准场效应晶体管和封装技术的结合,3.每个轨道的完整解决方案:核心、内存、芯片组和负载点

    时间:2019/10/15键词:计算,数据存储

  • 电子智能锁系统集成电路及参考设计
    电子智能锁系统集成电路及参考设计
    随着物联网的发展起来,电子智能锁也兴起。这些电池供电的锁通常需要功能,如ble、sub-1 ghz、Wi-Fi连接、交互式rgbw人机界面、音频和传感等。我们的集成电路和参考设计帮助您解决复杂的设计问题,同时缩短上市时间。

    时间:2019/9/30键词:集成电路

  • 汽车电池延长寿命解决方案
    汽车电池延长寿命解决方案
    电池管理系统(bms)是电动汽车(ev/hev)的重要电子控制单元,包括电池监控器和电池平衡单元。 在多电池组中,没有两个电池是相同的,它们在电池容量、自放电、阻抗、温度特性和电池老化方面都是不同的。 这些差异通常会随着使用寿命的延长而增加,并损坏电池。采用两种蓄电池平衡方法:被动平衡法和主动平衡法。 对于无源平衡,放电电流在平衡电阻中产生功率耗散,耗散的能量是降低电池容量的能量损失。

    时间:2019/9/29键词:电池

  • ESC电子稳定控制系统
    ESC电子稳定控制系统
    ESC电子稳定控制系统这项成熟技术已经成为车辆的标准功能。 意法ST的ESC解决方案包括用于驱动BLDC电机的全系列三相栅极驱动器和功率MOSFET,包括48 V供电区。 专用电源管理IC和CAN收发器,以及各种灵活创新的、应用特定的标准产品(ASSP),涵盖任何可能的系统分区,SPC5 32位汽车微控制器提供整体系统控制 ESC电子稳定控制系统旨在检测和减少牵引力的损失情况,以防止打滑。

    时间:2019/9/28键词:ESC

  • 德州仪器:Jacinto™ TDAx ADAS SoC
    德州仪器:Jacinto™ TDAx ADAS SoC
    Jacinto™ TDAx ADAS SoC搭配可扩展 SoC 和异构硬件与软件架构,满足 ADAS 系统需求. Jacinto™ TDAx 驾驶员辅助片上系统 (SoC) 系列基于异构硬件和通用软件架构为高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 应用提供可扩展的开放式解决方案,这些应用包括基于摄像头的前视(单目/立体)、后视、环视和夜视系统以及多量程雷达和传感器融合系统。

    时间:2019/9/27键词:德州仪器

  • 为GaN功率晶体管匹配门极驱动器
    为GaN功率晶体管匹配门极驱动器
    GaN是高速器件,因其电容很低,且可在没有反向恢复电荷的情况下反向导电(第三象限),这在硬开关应用中是个真正的优势。因此,损耗较低,但也有一些缺点。一是器件没有雪崩电压额定值,门极驱动相当关键,绝对最大额定电压典型值仅为+/-10V,而Si器件为+/-20V。另外,增强型(E-mode)GaN通常是关断的器件,其1.5V左右的门极导通阈值也低于Si的约3.5V。关键的是,能否实现低损耗、高功率密度和高可靠性的预期优势,取决于具有强固保护特性的优化门极驱动电路。

    时间:2019/9/25键词:晶体管,门极驱动器

  • 德州仪器:TWS耳机设计应用里使用DRV5032开关霍尔效应传感器
    德州仪器:TWS耳机设计应用里使用DRV5032开关霍尔效应传感器
    TWS(全称True Wireless Stereo)设计应用里使用DRV5032,因DRV5032开关霍尔效应传感器超低功耗,反应灵敏且体积小。在检测充电仓盖的开合,耳机是否在位时效果更佳。TWS蓝牙耳机充电仓中,放置了多块磁铁用以吸附耳机与仓盖,每一块磁铁的极性朝向都会影响到霍尔IC感应点的磁场感应强度。若选用全极型霍尔IC,充电仓内部磁场即使在仓盖打开后仍会保持一个较高的值,不能达到霍尔IC的释放点。

    时间:2019/9/23键词:德州仪器,霍尔效应传感器

  • 如何测量场效应管
    如何测量场效应管
    场效应管是场效应晶体管的简称,英文名是Field Effect Transistor缩写FET。分为:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),MOS管分为:增强型和耗尽型,主板中最常使用的是增强型MOS管。MOS管G D S三个引脚是固定的,N沟道与P沟道一样把芯片放正,从左到右分别为G极D极S极,用二极管档对MOS管的测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值,说明此管为N沟道。 黑笔不动,用红笔去接触G极测得数值为1

    时间:2019/9/17键词:场效应管

  • 场效应管在开关电源设计中的作用
    场效应管在开关电源设计中的作用
    在mpn中常用作为电源供电的电控之开关使用,需要通过电流比较大,因此使用时是用比较特殊的一种增强型场效应管,额两种不同增强型场效应管:N沟道增强型场效应管和P沟道增强型场效应管, 1脚就是栅极,这个栅极就是控制极,在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通,N沟道的,在栅极加上电压2脚和3脚就通电了,去掉电压就关断了,而P沟道的刚好相反,在栅极加上电压就关断(高电位),去掉电压(低电位)就相通了。 它们的作用相反的,场效应管像三极管一样有三个脚,这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)

    时间:2019/9/17键词:场效应管

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