射频D MOS管(DMOS晶体管)

ST意法提供了一个广泛的RF D MOS管（双扩散金属氧化物半导体）的电源电压范围从50到150 V，具有高可靠性（100万个功率周期）。

 

针对1至250兆赫频率范围内的应用，我们的射频d mos管具有高峰值功率（高达1.2千瓦）和高耐用性能力（无限：1驻波比）。

 

基于优化的工艺布局，提高了射频性能，ST意法的射频D MOS管非常适合：

 

1.射频等离子体发生器

2.激光驱动器

3.射频加热和除霜

4.磁共振成像（MRI）

5.高频收发器

6.调频广播

 

除了安装在ST意法创新的Stac®空气腔封装中的器件具有25%的低热阻外，还提供了一系列凝胶填充封装的抗湿射频晶体管，为在高湿度环境下运行的设备提供了一个经济有效的解决方案。