英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF功能参数及应用

带有电流隔离、短路箝位和独立接收器/源输出的1200 V单侧高压门驱动器IC

EiceDRIVER™ 紧凑型-采用CT技术的mosfet用高压高速驱动ic非常适合使用CoolMOS™ 的所有拓扑CoolMOS™ 3针和4针封装

 

英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF功能特征概要

1.独立源/汇输出（V电源：35V）

2.输出：2A@15V

3.1200 V无芯变压器IC，带电流隔离

4.道具。延时<105ns，输入滤波时间40ns

5.高CMTI稳健性>100千伏/微秒

6.独立的源/汇输出

7.小包装DSO-815亿

 

英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF优势

1.为所有650V CoolMOS量身定制™ C7、P6等超结MOS晶体管

2.开关电源等高开关频率应用，高达4MHz

3.调谐关闭与打开

4.高可靠性，占地面积小

 

英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF潜在应用

1.房间空调

2.太阳能系统解决方案

3.电源（SMPS）

4.服务器和存储

5.PC电源

 

图表

英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF参数