开关MOS管耗散计算方法-MOS管知识-竟业电子

开关MOS管电阻损耗计算公式如下：

PDRESISTIVE=［ILOAD2×RDS（ON）HOT］×（VOUT/VIN）

与同步整流器计算方法差不多。

 

开关MOS管损耗计算公式

PDSWITCHING=（CRSS×VIN2×fSW×ILOAD）/IGATE 

 

CRSS=MOS管反向转换电容（一个性能参数）

fSW=开关频率

 

考虑成本：选择比较少，某一代MOS管功率耗散最小且具有相等电阻损耗和开关损耗的型号;

如用更小，更快的MOS管，电阻损耗增加幅度 > 开关损耗减小幅度

如用更大RDS（ON）低MOS管，开关损耗增加幅度 > 电阻损耗减小幅度

 

若VIN变化的，计算在VIN最大值和VIN最小值处开关MOS管功率耗散；

MOS管最差情况：功率耗散出现在最小或者是在最大输入电压处；

 

耗散=VIN（最小值）处达到最大的电阻耗散+VIN（最大值）最大开关耗散

理想选择：理想耗散值=VIN极值耗散

它平衡VIN范围内的电阻耗散和开关耗散；

 

VIN最小值处耗散高：

以电阻损耗为主，应采用大开关MOS管，并联多个MOS管达到低RDS（ON）值；

VIN最大值处耗散高：

减小开关MOS管尺寸，如采用多个电子元器件，可去掉MOS管，可让更快地开关；

 

电阻和开关损耗平衡太高

只能修改目标设定，降低开关损耗：

1.重设输入电压范围；

2.改变开关频率；

可使更大，更低RDS（ON）值的开关MOS管成为可能，增大栅极驱动电流，降低开关损耗；

因MOS管本身限制了栅极驱动电流的内部栅极电阻；

采用更快+开关并具有更低RDS（ON）值+更低栅极电阻，来改进MOS管技术；

MOS管最坏情况：功率必须得以耗散；