MCT基本结构及工作特性-MCT与MOS场效应管关系-竟业电子

MCT是一种新型MOS/双极复合电子元器件；

即在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量MOS开关，通过MOS开关的通与断来控制晶闸管开与关；

 

MCT特点:

1.阻断和通态特性好；

2.输入阻抗高；

3.驱动功率低；

4.开关速度快；

5.可自关断和高压MOS场效应管导通压降大；

 

与IGBT相比MCT劣势

工作频率相同

1.关断控制难度高； 

2.制作工艺复杂； 

 

 MCT基本结构

分类：P型+N型+对称/不对称关断+单端/双端关断场效应管门极控制+不同导通选择

以上类别共同点：通过关断场效应管让晶闸管发射极－基极结短路完成MCT关断；

P型不对称关断MOS门极的MCT

断面图如下：

 

此等效电路与普通晶闸管双晶体管模型基本相同，但加入导通场效应管和关断场效应管；

等效电路如下图：

 

MCT的工作特性

MCT由等效电路组成；

等效电路=一个宽基区PNP晶体管+一个窄基区NPN晶体管+一个OFF场效应管+ON场效应管；

 

OFF场效应管连接在PNP晶体管的基极和发射极间；

少量ON场效应管连接在PNP晶体管集电极和发射极间；

两个MOS场效应管栅极连在一起形成MCT门极；

 

MCT门极相对于阴极施加正脉冲电压：

ON场效应管导通；

漏极电流使NPN晶体管导通；

NPN晶体管的集电极电流（空穴）PNP晶体管导通，

PNP晶体管集电极电流促使NPN晶体管的导通，

这样正反馈，

让MCT迅速由截止转入导通，并处于擎住状态。

 

当门极相对于阴极加负脉冲电压：

OFF场效应管导通；

PNP晶体管基极－发射极被短路，PNP晶体管截止，

此时破坏晶体管擎住条件，MCT关断。