20V P沟道MOS场效应管特点优势-MOS场效应管知识-竟业电子

20V P沟道功率MOS场效应管即SiA433EDJ

封装：2mm×2mm热增强PowerPAKSC-70

它的导通电阻是传统的一半；

如：4.5V导通电阻18mΩ 2.5V导通电阻26mΩ  1.8V 导通电阻65mΩ

技术：自矫正，每平方英寸硅片装1亿晶体管+精细+亚微米间距工艺；

 

SiA433EDJ有12V栅源电压+1.8V额定电压导通20V电子元器件；

应用于：尖峰+噪声+浪涌+过压致高栅极驱动电压波动；

因减少ESD故障，内置齐纳二极管，ESD保护提高到1800V；

SiA433EDJ符合IEC61249-2-21无卤素规范+RoHS指令2002/95/EC+通过完整Rg测试；   

 

SiA433EDJ应用

PDA MP3播放器中负载+智能手机+充电开关+电池

此MOS场效应管管低导通损耗+节约能量+延长电池寿命