变流器中的MOS场效应管和IGBT-MOS场效应管应用-竟业电子

变流器中的MOS场效应管

MOS场效应管导通电阻因栅电压变化而变化，随栅电压上升其下降，栅电压=一定值，导通电阻值不变，即充分导通；

 

MOS场效应管不同耐压充分导通栅电压不同，耐压越高充分导通栅电压越低；

如：MOS场效应管

耐压=200V 充分导通，栅电压>16V；

耐压=500V 充分导通，栅电压>12V；

耐压=1000V充分导通，栅电压>8V；

因耐压<200V，栅驱动电压＝17~18V

耐压=500V 栅驱动电压＝15V

耐压=1000V  栅驱动电压＝12V；

 

变流器中的IGBT

IGBT驱动电压=15±1.5V，它与耐压毫无关系；

驱动电压<13.5V，IGBT饱和压降增高；

IGBT输出：直接与外部负载连接

若：负载短路，IGBT严重过流，过流与栅驱动电压有关，电流=IGBT额定电流几倍到十几倍；

驱动电压<14V，短路电流=额定电流几倍

驱动电压>16V 短路电流=额定电流十几倍

因此有很大的知足电流时，IGBT有可能损坏；

 

 

IGBT抗短路能力在10微秒内，但10几倍额定电流最多承受一次；

因此变流器中的IGBT栅电压=14.5~15.5V

 

若：用IGBT模块三菱，AC380V通用变频器设置，工作频率6~7KHZ，型号可选择相应的，

变频器输出额定电流峰值=1/2IGBT最大额定电流

IGBT峰值电流=3/4IGBT最大额定电流；