Vishay推出新款MOS管SiSF20DN 提高功率密度和效率

Vishay推出MOS管SiSF20DN-共漏极双N沟道60 V，它是采用小型热增强型PowerPAK®1212-8SCD封装。

SiSF20DN的RS-S(ON) 60 V，是业内最低的共漏极元器件，可提高相关电子元器件的功率密度和效率，如:电池管理系统，直插式，无线充电器，DC/DC转换器,电源等。

 

双片MOS管在10V电压以下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V电子元器件，降低电源通道压降，减小功耗，提高效率，它的面积乘积低于排名第二的替代MOS管 46.6 %，也提高了功率密度。

SiSF20DN设计简约减少元件数量， 采用优化封装结构，节省了PCB空间，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOS管采用共漏极配置。

SiSF20DN的源极触点是并排列出，这样使PCB接触面积提高，并减小电阻率；

此种设计方式让MOS管非常适用在24 V系统或者是工业应用双向开关，如：电动工具，机器人，工厂自动化，安防/监视和烟雾报警器，无人机，电机驱动器，白色家电。