mos管漏极和栅极如何测试 -竟业电子 MOS管

金属氧化物半导体MOS管可分为N沟道与P沟道两大类：

P沟道硅MOS管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极；

两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。

 

                                       MOS管三极图

 

MOS管漏极和栅极如何测试

MOS管分PMOS管和NMOS管

PMOS 漏极测试

用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是D极，负极是S极，另一个则是G极。

 

NMOS漏极测试

用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是S极，负极是D极，另一个则是G极。

 

MOS管栅极

如何测试：

用万用表R×1档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为几十Ω至数百Ω，测该两脚分别是D极和S极，另一脚则G栅极。

或是这两脚任选一脚，再把另一只表笔放在第三脚，电阻均呈无限大，则G栅极。

 

MOS管的作用：

MOS管一般被用于放大电路或开关电路。 在主板上的电源稳压电路中，MOS管的作用是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

开关作用电路图如下：

 

电压导通或是断开电路图如下：

由+1.5V_SUS产生+1.5V