MOS管场效应管穿通击穿原因

什么是电压型静电击穿（穿通击穿）

MOS管场效应管栅极薄氧化层发生击穿有针孔后，导致栅极—栅极之间形成短路，栅极—漏极之间形成短路。

穿通击穿：

穿通击穿受多晶栅长度影响

 

1.破坏性击穿并不会出现，

原因：场强没有达到雪崩击穿场强，并不会产生大量电子空穴对；

 

2.在沟道中间发生；

原因：穿通不容易发生在沟道表面，沟道注入使表面浓度大形成，NMOS管场效应管有防穿通注入；

 

3.发生在沟道中间：鸟嘴边缘浓度 > 沟道中间浓度

 

4.软击穿：击穿过程中，电流渐渐变大；

原因：耗尽层扩展较宽，同时发生DIBL效应，源衬底结正偏出现电流渐渐变大；

 

5.软击穿点：在源漏的耗尽层相接时，源端载流子注入耗尽层中，被电场加速达到漏端，电流变大，与雪崩击穿电流不同，与源衬底PN结正向导通时电流相同。