MOS管集成电路静电损害及预防

MOS管集成电路中电子元器件外面有一层绝缘栅，能避免电压击穿。

电子元器件绝缘栅氧化层厚度：25nm + 50nm + 80nm

集成电路高阻抗栅前额电阻，作用：保护二极管，但也不能避免电子元器件静电损害ESD，

高电压放电时，电子元器件会失效，如果多次较低电压放电，也可能因累积失效。

 

静电损害

1.输入端或输出端被破坏，电源端 VDD GND 短路或开路，电子元器件功能完全丧失；

2.出现断续失效；

3.泄漏电流增加致电子元器件性能退化；

 

MOS管集成电路静电预防

1.工作时不要超过电子元器件手册上的参数限制值；

2.电子元器件上空闲输入端接VDD，VSS，接触良好；

3.低阻抗设备接 CMOS 或 NMOS 集成电路输入端前，先接通电源，断开：设备与电子元器件断开后，再断开电源；

4.CMOS与NMOS 集成电路印刷电路板，不能用塑料包装；

5.CMOS与NMOS 集成电路采用抗静电材料做成包装运输或存储，二氧化碳制冷；

6.操作时工作台应该接地，电子元器件接触的手部用导电带与工作台连接；

7.自动化操作时，车间内应使用电离空气鼓风机，增湿机使室内相对湿度在 35% 以上，与集成电路接触设备都必须接地；

8. 手工焊接，手腕与焊料罐接地