英飞凌infineon碳化硅MOSFET分立器件-英飞凌infineon-竟业电子

650 V、1200 V和1700 V  CoolSiC™ MOSFET分立器件非常适合于硬开关和谐振开关拓扑

英飞凌infineon CoolSiC™ mosfet是建立在最先进的沟道半导体工艺上的，经过优化，在应用中损耗最低，在运行中可靠性最高。离散CoolSiC™ 到和贴片外壳的组合有650 V、1200 V和1700 V电压等级，导通电阻额定值从27 mΩ到1000 mΩ。CoolSiC™ trench技术实现了一个灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定于应用的特性，例如：门源电压、雪崩规范、短路能力或额定为硬换流的内部体二极管。

CoolSiC™ 分立封装的mosfet非常适合于硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑和DC-DC变换器或DC-AC逆变器。对不需要的寄生导通效应的出色抗扰性在低动态损耗方面创造了一个基准，即使在桥拓扑中为零伏关断电压。我们的TO和SMD产品还配有开尔文源引脚，以优化开关性能。

 

英飞凌infineon用一系列精选的驱动芯片产品来完成SiC分立产品的供应，以满足超高速SiC MOSFET开关特性的需求。一起，酷西奇™ MOSFETs和EiceDRIVER™ 门驱动器集成电路利用了SiC技术的优势：提高了效率，节省了空间和重量，减少了零件数量，提高了系统可靠性。

 

CoolSiC™分立外壳中的mosfet带有一个快速的内部自由旋转二极管，因此在没有额外二极管芯片的情况下实现硬开关成为可能。由于其单极性，mosfet显示出非常低的温度无关开关和低的传导损耗，特别是在部分负载条件下。

 

英飞凌infineon独特的碳化硅（SiC）CoolSiC™ 1200伏和650伏的MOSFET分立产品非常适合于LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，并且可以像IGBT或CoolMOS那样驱动™，使用标准驱动程序。这些稳健性器件通过最先进的沟道设计提供了优越的栅氧化层可靠性、最佳的开关和传导损耗、最高的跨导水平（增益）、Vth=4v的阈值电压和短路稳健性。

 

英飞凌infineon碳化硅MOSFET特征

1.低器件电容

2.温度无关开关损耗

3.低反向恢复电荷本征二极管

4.无阈值状态特性

 

英飞凌infineon碳化硅MOSFET优势

1.优越的栅氧化层可靠性

2.最佳开关和传导损耗

3.IGBT兼容驱动（+18 V）

4.阈值电压，Vth>4v

5.短路和雪崩鲁棒性

 

英飞凌infineon碳化硅MOSFET优势

1.降低冷却效果的最高效率

2.寿命更长，可靠性更高

3.高频操作

4.降低系统成本

5.功率密度增加

6.降低系统复杂性

7.易于设计和实现