集成肖特基二极管N沟道MOS场效应管-竟业电子

集成肖特基二极管N沟道MOS场效应管30 V

安森美ON 集成肖特基二极管30 V 

型号：NTMFS4897NF+NTMFS4898NF+NTMFS4899NF

10 V时：最大导通阻抗值2MΩ+3 MΩ+5MΩ

封装：低热阻抗紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL

 

应用于降压转换器，可达高电源能效

Vgs=4.5 V，典型门电荷39.6(nC)+25.6 nC+12.2 nC，超低开关损耗；

Vgs=门极-源极电压

 

应用

电信网络设施+个人计算机PC+笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换+负载点(POL)转换+低端开关操作+服务器+电信网络设施；

 

集成肖特基二极管特点

集成在与初级场效应管结构相同裸片中，减小死区时间导电损耗，提升改善波形及能效；