MOS场效应管内部晶胞等效模型-竟业电子

MOS场效应管组成：内部由晶胞并联

按单位面积计算或晶元面积越大，晶胞越多，导通电阻RDS)ON)越小;

单元G极和S极：是内部金属导体连接集成在晶元一个位置，导线引出管脚；

参考点在G极在晶元集成处，单元离此点越远，G极等效串联电阻越大；

 

晶胞单元有着不一致VGS电压，因串联等效栅极和源极电阻分压作用而形成；

晶胞单元电流不一致：在MOS场效应管开启过程，因栅极电容的作用；

晶胞热不平衡：在MOS场效应管开关瞬态过程

MOS场效应管等效模型

如下图所示

 

 

 导通过程，漏极电流ID渐渐上升，越接近栅极管脚晶胞单元电压越大，流过电流也越大，温度越高；

若：在离栅极管脚最远处，晶胞单元可能没导通；