带集成自举二极管、过电流保护、启用和故障报告的600 V三相门极驱动IC EiceDRIVER™ 紧凑型全桥三相栅驱动集成电路，采用LS-SOI技术控制功率器件，如MOS晶体管或600V IGBT 英飞凌MOS管场效应管6EDL04N06PT功能特征概要 1.薄膜SOI技术 2.最大阻塞电压+600V 3.所有六个驱动器的独立控制电路 4.CMOS和LSTTL兼容输入（正逻辑） 5.每相信号联锁，防止交叉传导 6.检测过电流和欠电压电源

带集成自举二极管、过电流保护、启用和故障报告的200V三相门极驱动IC EiceDRIVER™紧凑型全桥三相栅驱动集成电路，采用LS-SOI技术控制功率器件，如MOS晶体管或180 V IGBT 英飞凌MOS管场效应管6EDL04N02PR功能特征概要 1.薄膜SOI技术 2.最大阻塞电压+180V 3.所有六个驱动器的独立控制电路 4.CMOS和LSTTL兼容输入（正逻辑） 5.每相信号联锁，防止交叉传导 6.检测过电流和欠电压电源 英飞凌MOS管场效应管6EDL04N02PR优势 1.节省空间的包装 2.提高能源效率 3.提供客户评估委员会

带集成自举二极管、过电流保护、启用和故障报告的600 V三相门极驱动IC EiceDRIVER™紧凑型全桥三相栅驱动集成电路，采用LS-SOI技术控制功率器件，如MOS晶体管或600V IGBT。 英飞凌MOS管场效应管6EDL04I06NT 特征概要 1.薄膜SOI技术 2.最大阻塞电压+600V 3.所有六个驱动器的独立控制电路 4.CMOS和LSTTL兼容输入（负逻辑） 5.每相信号联锁，防止交叉传导 6.检测过电流和欠电压电源 英飞凌MOS管场效应管6EDL04I06NT 优势 1.节省空间的包装 2.提高能源效率

带过电流保护、启用和故障报告的600 V三相门极驱动IC EiceDRIVER™ 紧凑型600伏三相栅驱动集成电路，用于在PG-DSO-28封装中使用典型的0.165 A源极和0.375 A汇极电流的MOS晶体管或igbt。 英飞凌MOS管场效应管6ED003L06-F2特征概要 1.薄膜SOI技术 2.最大阻塞电压+600V 3.所有六个驱动器的独立控制电路 4.CMOS和LSTTL兼容输入（负逻辑） 5.每相信号联锁，防止交叉传导 6.检测过电流和欠电压电源

输入信号是低电压TTL和3.3V CMOS兼容，具有高达+20V和低至-10V直流的极宽电压处理能力。在输入引脚处处理-10V直流电的独特能力可保护设备不受地面弹跳的影响。两个输出端都能够利用一个真正的轨对轨输出级吸收和产生一个5A电流，这确保极低的阻抗，0.7Ω到正极，0.55Ω到负极分别是铁轨。 出色的信道间延迟匹配，典型。1ns，通过两个通道的并联实现源和汇容量的无风险倍增，峰值可达10A。工业标准管脚和不同逻辑输入/输出配置的结合保证了高度的灵活性并缩短了研发时间。栅极驱动器有三种封装选项：PG-DSO-8-pin、PG-VDSON-8-pin和PG-TDSSO-8-pin（体积小，与DSO-8相比热性能提高）。 英飞凌MOS管场效应管2EDN7523F功能特征概要 1.5A峰值源/汇电流 2.5ns（典型）上升/下降时间 3.<10ns传播延迟容限 4.8V UVLO选项 5.19 ns（典型）传播延迟，用于控制输入和启用 6.-10V控制和启用输入 7.稳健性 8.输出对反向电流具有鲁棒性 9.2个独立通道 10.<1ns通道对通道未匹配 11.行业标准插针和包装

带有电流隔离、短路箝位和独立接收器/源输出的1200 V单侧高压门驱动器IC EiceDRIVER™ 紧凑型-采用CT技术的mosfet用高压高速驱动ic非常适合使用CoolMOS™ 的所有拓扑CoolMOS™ 3针和4针封装 英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF功能特征概要 1.独立源/汇输出（V电源：35V） 2.输出：2A@15V 3.1200 V无芯变压器IC，带电流隔离 4.道具。延时<105ns，输入滤波时间40ns 5.高CMTI稳健性>100千伏/微秒 6.独立的源/汇输出 7.小包装DSO-815亿 英飞凌MOS管场效应管1EDI20N12AF优势 1.为所有650V CoolMOS量身定制™ C7、P6等超结MOS晶体管 2.开关电源等高开关频率应用，高达4MHz 3.调谐关闭与打开 4.高可靠性，占地面积小

600V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新的高压超结MOSFET技术，集成了快体二极管，完成了CoolMOS™ 7系列。正向电阻™ 与竞争对手相比，CFD7具有更低的栅极充电（Qg）、改进的关断行为和高达69%的反向恢复充电（Qrr），以及市场上最低的反向恢复时间(trr)。 英飞凌MOS管场效应管IPW60R031CFD7特征概要 1.超快体二极管 2.同类最佳反向回收费用（Qrr） 3.改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性 4.最低FOM RDS（开）x Qg和Eoss 5.同类最佳的RDS（on）/软件包组合 英飞凌MOS管场效应管IPW60R031CFD7优势 1.一流的硬交换坚固性 2.谐振拓扑的最高可靠性 3.最高效率和卓越的易用性/性能权衡 4.增强功率密度解决方案

二极管整流劣势 1.导通压降过高，输出端整流管损耗大； 2.（超）快恢复二极管1.0～1.2V，用低压降肖特基二极管，产生0.6V压降，整流损耗增加； 什么是同步整流 同步整流是用通态电阻极低专用功率MOS管场效应管，来降低整流损耗新技术。 是栅极电压与被整流电压相位保持同步而完成的整流功能。 同步整流优势 1.提高DC／DC变换器效率； 2.肖特基势垒电压造成死区电压不存在； 3.功率MOS管场效应管属于电压控制型元器件，导通时，伏安特性呈线性；

VMOS场效应管优势 1.输入阻抗可达108W甚至更高 2.驱动电流小0.1μA 3.耐压高最高1200V 4.工作电流范围大1.5A～100A 5.输出功率范围高1～250W 6.跨导的线性好 7.开关速度快 VMOS场效应管应用 1.电压放大器 2.功率放大器 3.开关电源 4.逆变器

开关S2体二极管传导负载电流IL，直到高侧开关S1导通。 负载电流换向S1后，S2漏源电压开始增加，要拉低或抵消电压关断栅极电阻器，如果此电阻值不够，那么此电压有可能超过阈值电平，因此开关损耗增加或者是直通。 直通严重风险再于操作条件及测量硬件，但是主要的是：高总线电压，电压陡峭上升，很高的结温。此时,导致栅极电压上拉更强，阈值水平降低。 硬件：影响原因与CGD并联的（寄生板电容+外部电容器），关断栅极电压，关断栅极电阻。 门收费特性：实际是静态的 缺点：栅极电荷特性实际静态，寄生导通动态 特性测试： 条件： 关断栅极电压=0 V TO-247 3引脚+4引脚封装 1200 V / 45mΩCoolSiC MOS管场效应管寄生导通 半桥评估板配置如下电路图（换流单元） 被测器件=低端开关，dv / dt发生器=高端开关 高侧器件导通时：低侧器件上升漏极—源极间电压致栅极电压dvDS / dt，关断栅极电阻越低， 寄生导通越小。