600V Coolmos™C3是英飞凌2001年推出的第三系列Coolmos™产品。C3是投资组合中的“最生要部份”。 MOS管SPW47N60C3功能概述： 1.低比导通电阻（rds（on）*a） 2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低 3.低栅电荷（QG） 4.经现场验证的CoolMOS™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术 MOS管SPW47N60C3优势： 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性

p-n结隔离（ji）技术是一种成熟、成熟的工业标准mos/cmos制造技术。我们专有的高压集成电路（HVIC）和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。先进的工艺允许单片高压和低压电路结构，为特定的电机控制和开关电源应用提供最佳的性价比。JI电平移位高压门驱动器ICs系列具有过电流保护、关机、故障报告、使能、OPAMP、DESAT、可编程死区时间、穿透保护、独立的接收器和源输出、低UVLO（5v）、自振荡等高级功能。

MOSFET管是FET的一种，另一种是JFET; 它分为增强型，耗尽型，P沟道，N沟道共4种类型； 虽然分有4种类型，但实际应用的只有NMOS和PMOS，即增强型的N沟道和P沟道MOS管。 在NMOS和PMOS中，因为NMOS管导通电阻小，且容易，所以最常应用于开关电源和马达驱动中的是NMOS管。

CoolSiC™肖特基二极管G5以诱人的成本提供市场领先的效率从结结构、基片和模具连接等方面对其进行了优化它代表了一个平衡良好的产品系列，以具有竞争力的成本水平提供最先进的性能和高激增能力。 650V Rapid 1和Rapid 2硅功率二极管 英飞凌的高效、快速恢复650V Rapid 1和Rapid 2硅二极管系列结合了超薄晶片制造专业知识，具有低损耗垂直结构和独特的电池设计，Rapid二极管提供卓越的性能。 该装置通过填充碳化硅（SiC）二极管和发射极控制二极管之间的间隙来补充英飞凌现有的高功率600伏和650V二极管组合，以解决超快和超高功率硅二极管市场。

MOS管SPP20N60C3功能概述： 1.特定的导通电阻（rds（on）*a） 2.400V时输出电容（EOSS）储能非常低 3.低栅电荷（QG） 4.经验证的Coolmos™质量 5.自1998年起，英飞凌就开始生产Coolmos™技术 MOS管SPP20N60C3优势： 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能 3.高可靠性 4.易用性

CoolMOS管IPD65R420CFDA功能概述：1.市场上首个650V汽车用集成快速体二极管技术 2.硬换相期间的有限电压超调——自限di/dt和dv/dt 3.低栅极电荷值Q g 4.重复换向体二极管的低Q rr和低Q oss 5.减少开启和开启延迟时间 6.符合AEC Q101标准 CoolMOS管IPD65R420CFDA优势： 1.较高的击穿电压增加了安全裕度 2.减少EMI外观，易于设计 3.更好的轻载效率 4.降低开关损耗 5.更高的开关频率或更高的占空比 6.高质量和可靠性

N 沟道 MOS管:一流的电阻和栅极电荷，可实现高频操作和更高的功率密度。工具和开发套件,DRV8711EVM：用于具有片上 1/256 微步进分度器的步进电机前置驱动器的评估模块,DRV8711是一个步进电机控制器，使用外部N通道mos管驱动双极步进电机或两个刷直流电机。集成了微步索引器，最多支持1/256微步。DRV8711能够提供超平滑的运动轮廓，电机失速可以通过车载LED进行监控。

从大型设备，如磁共振成像系统和X光机，到小型设备，如助听器、医疗产品和系统，使用Vishay制造的部件类型。它们被用于神经刺激器、起搏器、除颤器、病人监测系统、医疗仪器设备、血压袖带、血糖仪等。Vishay是一家领先的起搏器、除颤器和除颤器变压器遥测线圈制造商，以及植入式设备和助听器电容器制造商。

ST意法提供了一个广泛的RF D MOS管（双扩散金属氧化物半导体）的电源电压范围从50到150 V，具有高可靠性（100万个功率周期）。针对1至250兆赫频率范围内的应用，我们的射频d mos管具有高峰值功率（高达1.2千瓦）和高耐用性能力（无限：1驻波比）。

基于独特的Infineon Coolmos™技术，辐射硬功率mos晶体管是250V设备辐射硬度和电气性能的全球基准。TID硬度规定为100Krad（根据要求为300Krad），SEE用XE测试为LET55，用Au离子测试为LET84。凭借极低的比电阻和舒适的节能操作区（soa），see英飞凌现在为各种空间和航空电子应用提供一流的辐射硬功率mos晶体管。