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英飞凌MOSFET以独特设计方式为更多产品带来效率、功率密度和成本效益

时间:2019/10/31阅读:1712 关键词:MOSFET

英飞凌的n通道和p通道功率mosfet设计方式独特;

需要高电压阻断能力和低损耗快速开关的AC-DC应用利用革命性的Coolmos™超级结技术,提供更高效的电源。

DC-DC应用可根据其对低损耗极快速开关或在中等频率下更稳健开关的需求进行分类。optimos™功率mosfet技术在100khz以上的电源应用中的超低开关损耗,以及在需要高雪崩保护(如电机控制)的应用中的高可靠性strongirfet™使设计者受益匪浅。

需要最高质量和增强保护功能的设计得益于英飞凌汽车认证的N通道和P通道mosfet,它们超越了aec-q101行业标准,提供了行业中最可靠的mosfet

 

英飞凌的全系列n通道和p通道功率mosfet和系统使您的应用程序实现创新和性能,包括开关模式电源(smps)、计算、电机控制和驱动、消费者、移动设备、照明解决方案、汽车等。

 

工业功率mosfet20v-300v)和强irfet系列

英飞凌高度创新的OptimosStrongIRFET系列始终满足电力系统设计关键规范中的最高质量和性能要求,如导通电阻和优值特性。英飞凌是发电(如太阳能微型逆变器)、电源(如服务器和电信)和功耗(如电动汽车)高效解决方案的市场领导者。

 

1.通过减少多相转换器中的相数,节省总体系统成本

 

2.降低功率损耗,提高所有负载条件下的效率

 

3.使用最小的封装(如DirectFET™或系统内封装解决方案)节省空间

 

4.最小化系统中的电磁干扰,使外部缓冲网络过时,产品易于设计

 

 

工业功率mosfets 500v-950v-coolmos™系列

 

使用Coolmos™的AC-DC应用程序利用英飞凌开发的超级结原理,从每R D(开)的最低损耗中获益。这创造了比以往任何时候都更高效、更紧凑、更凉爽的电源。Coolmos™有多种技术可用于特定的拓扑和应用。

 

汽车功率mosfets 20v-600v-optimos™系列

 

英飞凌Optimos™结合了领先的mosfet技术和强大的封装,提供一流的性能和卓越的电流容量。汽车合格的mosfet封装现在有更高的电流容量,感谢我们的powerbond技术。

 

1.一流的R DS(开)性能,提高系统效率

 

2.市场上最大电流dpakd 2pak,以减小ecu模块尺寸

 

3.最低的开关和传导功率损耗,提高热系统可靠性

 

4.坚固的绿色包装,便于工艺处理