英飞凌是唯一家提供全面的功率器件组合的企业

英飞凌提供硅（Si）、碳化硅（SiC）和GaN。

从微安到兆瓦的高能效解决方案，高度可靠的IGBTs、功率mosfet、GaN电子模式HEMTs、功率分立器件、保护开关、Si驱动器、GaN驱动器、IGBT模块、智能功率模块（IPMs）、线性调节器、电机控制解决方案、LED驱动器以及所有形式的AC-DC、DC-DC和数字功率转换。

 

亮点

 

 

MOSFETs

 

英飞凌的MOSFET产品组合提供汽车MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET。

 

OptiMOS™汽车应用结合了领先的MOSFET技术和强大的封装，以提供一流的性能和卓越的电流容量。在电力应用中，OptiMOS™20V-250V始终在电力系统设计的关键规范中设定基准，包括领先的状态电阻和性能指标。

 

革命性的CoolMOS™功率系列500V-900V在能效领域树立了新的标准，并显著降低了传导和开关损耗，使卓越的功率转换系统具有更高的功率密度和效率

 

IGBTs

 

英飞凌提供全面的技术组合领先的IGBT裸模，离散，模块，甚至完整的堆栈。这使在工业应用提供可靠和高效的解决方案，如通用逆变器、太阳能和风能逆变器、UPS、焊接、感应加热和SMPS系统。建议将igbt应用于诸如电饭煲、微波炉和感应烹饪炉甚至空调系统等消费者应用中。离散式汽车igbt和模块也可用于压电注入、HID照明、泵和小型驱动器等应用。

 

碳化硅（SiC）

 

与常用硅相比，碳化硅器件为高压功率半导体提供了许多吸引人的特性。英飞凌的CoolSiC™肖特基二极管从600伏到1200伏不等，可提高服务器、电信太阳能、照明、消费者、PC电源和AC/DC等应用的效率和解决方案成本。革命性的CoolSiC™1200 V SiC JFET系列，结合提议的直接驱动技术，代表了英飞凌的领先解决方案，将实际设计推向了新的、迄今无法达到的效率水平。也可提供：高效率的IGBT功率模块与碳化硅飞轮二极管。

 

 

氮化镓（GaN）

氮化镓（GaN）是一种宽带隙（WBG）材料，允许器件在比硅等传统半导体材料更高的频率和温度下工作。英飞凌的CoolGaN™氮化镓解决方案基于市场上最强大、性能最好的概念——增强模式（e模式）概念，提供快速的开启和关闭速度。CoolGaN™HEMTs提供了远远超出标准的最高质量和可靠性，并在服务器、电信、无线充电、适配器和充电器以及音频等多个应用中实现了性能改进。

 

 

大功率晶闸管和二极管

适用于电力驱动、电压软起动器、通用电源、甚至复杂的能量传输系统等大功率应用的压包或模块外壳中的坚固高效的晶闸管和二极管。

 

门驱动器

 

低压和高压门极驱动集成电路和电路板解决方案，为igbt和mosfet提供可靠和高效的控制。英飞凌公司的DC-DC低压门极驱动器是用于计算和电信负载点等应用的双功率mosfet的高速驱动器，可根据设计人员的条件和需求调整系统的效率。也请找到我们的高性能隔离栅驱动芯片和电路板（EiceDRIVER™），用于CoolMOS™mosfet和IGBT分立器件，甚至用于大多数工业应用的模块。

 

 

集成功率级

该产品提供具有最高效率和功率密度的功率级解决方案，如DRMO和DrBlade。随着DrBlade英飞凌提供了一个新的超紧凑集成MOSFET半桥驱动器，基于革命性的刀片芯片嵌入技术。