英飞凌infineon H2S防护系统提高IGBT寿命-竟业电子

独树一帜：IGBT模块的先进H2S保护提高了寿命

坚固性决定了在恶劣环境中使用的模块的寿命和可靠性。特别是接触硫化氢（H2S）对电子元件的使用寿命有着至关重要的影响。为了应对这一威胁，英飞凌infineon开发了一种独特的保护功能。

 

EconoPACK公司™ +带沟槽的模块™ IGBT4芯片组是Econo产品组合中的第一款，其特点是为逆变器提供这种新级别的保护。在造纸、采矿、废水和石油化工加工以及橡胶工业中，H2S浓度达到临界值的恶劣环境尤为明显。

 

H2S是功率半导体最重要的腐蚀性污染物。在运行期间，IGBT模块通常被加热到高温水平。这与外加电压和硫化氢污染一起，触发了结晶硫化铜（Cu2S）的生长。这些导电结构生长在陶瓷基板上DCB的沟槽中，最坏的情况下会导致短路。由于IGBT模块过早失效，逆变器的寿命会大大缩短。

 

英飞凌infineon先进的H2S防护系统可在硫化氢到达敏感区域之前阻止硫化氢进入模块。这不仅是独一无二的，也是最有效的方法。

模块的所有电气、热力和机械参数不变，并保持与标准模块相同的特性。因此，可以延长在恶劣环境条件下运行的系统的寿命。为了确保这一点，英飞凌infineon根据ISA 71.04-2013标准，设计了专有的HV-H2S测试，以使IGBT模块在特定条件下运行合格。本标准规定了从“轻度（G1）”到“严重（GX）”的四种污染影响严重程度等级。英飞凌infineon的测试涵盖了广泛的工业应用，并提供了一种定量方法来评估IGBT模块的可靠性。

 

受英飞凌Infineon的H2S技术保护，IGBT模块在规定的HV-H2S测试条件下不会出现枝晶生长。因此，根据ISA 71.04，“严酷（G3）”严重程度的上限（≤2000Å/50 ppb），预计寿命为20年。带有保护功能的EconoPACK+只是简单地替换了标准模块，因此不需要进行昂贵和耗时的设计工作。此外，使用变频器系统的公司可以节省额外的保护措施，如额外的房间通风、安装区域的温度和湿度控制，甚至可以节省变频器的密封柜。