为什么MOS管会损坏-MOS管损坏各种原因-mos管-竟业电子

栅极电涌与静电破坏

栅极-源极间有电压浪涌或是静电会引起损坏；

栅极过电压损坏，通电中静电：在G与S两端及安装，测定设备都带电，导致栅极被损坏；

 

 

 

内置二极管被损坏

D极与S极两端间形成寄生二极管运行时，Flyback时MOS管寄生双极晶体管运行导致此二极管被损坏的模式。

 

雪崩损坏

漏极-源极间外加超出电子元器件额定VDSS电涌电压，达到击穿电压V(BR)DSS值，且超出一定能量，即会损坏；

介质负载开关运行断开时，产生回扫电压，漏磁电感产生尖峰电压超出MOS管漏极额定耐压后进入击穿区，导致被损坏模式所引起的雪崩损坏。

 

 

MOS管本身发热而损坏

超出安全工作区域而引起发热:直流功率+瞬态功率

 

直流功率

外加直流功率引起损耗而发热

1.负载短路;

2.漏电流IDSS损耗;

3.在高温时RDS(on)导通电阻RDS(on)损耗增大，再一定电流下，功耗增加;

4.瞬态功率原因：外加单触发脉冲;

5.内置二极管trr损耗;

6.开关损耗；

 

寄生振荡损坏

1.发生在并联时：并联MOS管时，没有插入栅极电阻，直接连接发生栅极寄生振荡。

2.高速反复接通和断开漏极-源极间电压时，栅极-漏极间电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成谐振电路，发生此寄生振荡。

3.当谐振条件ωL=1/ωC时，栅极-源极间外加电压 > 驱动电压Vgs(in)振动电压，超出栅极-源极间额定电压，导致损坏；

4.接通与断开漏极-源极间电压时振动电压，在通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，由于误动作可引起振荡破坏；