服务热线
邮箱:postmasterr@jingyeic.com
3008038871
总部地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座9H
时间:2020/9/9阅读:1463 关键词:英飞凌infineon
N沟道和p沟道互补mosfet
英飞凌的互补功率mosfet将N沟道和P沟道mosfet以高、低侧配置集成到一个封装中。双mosfet家族的特点是OptiMOS™ 以及红外MOSFET™ 满足当今应用的最高标准和性能要求的技术。互补的MOSFET对确保了高效率和简单的设计。它们在节省空间的包中提供,用于成本优化解决方案,如SO8、PQFN3x3和TSOP-6包。目标应用包括DC-DC转换、电机控制、电池管理和车载充电器。
1.单个封装中的高、低压MOSFET
2.高侧P沟道MOSFET
3.行业标准引脚
4.与现有表面贴装技术兼容
5.RoHS投诉
优势
1.易于设计
2.简化的驱动电路
3.多供应商兼容性
4.简化制造
5.环境友好型
1.DC-DC转换
2.电机控制
3.电池管理
4.车载充电器
5.负荷开关