英飞凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌应用-竟业电子

不同封装和拓扑结构的碳化硅MOSFET组件技术

 

带CoolSiC™的电源模块 MOSFET为逆变器设计人员提供了新的机会，实现了前所未有的效率和功率密度。此外，碳化硅（SiC）正根据不同的可用拓扑（从45 mOhm到2 mOhm RDS（on））进行定制以满足应用需求。

英飞凌infineon的1200V SiC MOSFET模块有3级、双级、四组、六组或增压器等不同配置，采用最先进的沟槽设计、同类最佳的开关和传导损耗，提供了优越的栅氧化层可靠性。

所有EasyPACK™, EasyDUAL™ and 62mm CoolSiC™  MOSFET功率模块可订购预先应用的热接口材料（TIM）。

 

 

英飞凌infineon碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块优势

高频操作

1.功率密度增加

2.最高效率，减少冷却工作量

3.降低系统和运营成本

 

 

英飞凌infineon碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块特征

1.与Si相比，开关损耗降低约80%

2.卓越的栅氧化可靠性

3.具有低反向恢复电荷的本征体二极管

4.Vth>4V的最高阈值电压

 

sicmosfet 650伏和1200伏栅极驱动集成电路

CoolSiC等超快速开关功率晶体管™ mosfet可以通过隔离的栅极输出部分更容易处理。因此，电隔离的二十面体™ 基于英飞凌无芯变压器技术的集成电路被推荐为最合适的。