英飞凌GaN-HEMT-氮化镓晶体管-英飞凌应用-竟业电子

CoolGaN™ 新电源模式

氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是，与硅mosfet相比，更高的临界电场使其对具有优异动态通态电阻和更小电容的功率半导体器件非常有吸引力，这使得GaN-hemt非常适合于高速开关。不仅因为由此节省了电力和降低了整个系统的成本，它还允许更高的工作频率，提高了功率密度以及整个系统的效率。

GaN功率晶体管最重要的特点是反向恢复性能。作为英飞凌infineon的CoolGaN™晶体管没有少数载流子，也没有体二极管，它们不会表现出反向恢复，这使得它们非常适合半桥拓扑。

最终效率和可靠性

英飞凌infineon的CoolGaN™ 是一种高效率的GaN晶体管技术，可在高达600V的电压范围内进行功率转换。英飞凌凭借其在半导体市场的长期经验，使e模式概念走向成熟，实现了端到端的大批量生产。领先的质量保证了最高的标准，并提供了最可靠和最有效的解决方案在市场上的所有甘亨特。

利用CoolGaN™的开关电源电路 可以从提高的能源效率和提高的功率密度中获益，这是最先进的硅器件不可能实现的。在200-250kHz以上的高频操作中，开关速度是决定能量传递方式的关键。

英飞凌infineon CoolGaN™的超快切换速度 使死区时间很短。预计使用寿命超过15年，故障率低于1次，客户可以信赖其可靠性和质量。

 GaN EiceDRIVER™ 系列

与英飞凌的所有功率晶体管一样，CoolGaN™ 系列是由它的一系列门驱动器支持的，其中包括GaN-EiceDRIVER™ 系列。

使用Infineon的单通道隔离GaN-Eidedriver™享受简单的设计集成电路，是为了在高压CoolGaN™中高效工作而开发的 600V设计和缩短上市时间与广泛提供赣评估板。

英飞凌的高性能CoolGaN™ e-mode-HEMTs有顶部和底部冷却的表面贴装。允许最高的效率和功率密度以及最佳的热行为在各自的应用。

这些e-mode HEMTs面向消费者和工业应用，如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频等，具有市场上最强大和最具性能的概念。