MOS场效应管关断过程中Coss对开关影响-MOS场效应管应用-竟业电子

MOS场效应管关断过程中Coss对开关影响

如下图所示

此电路为在实际波形

电路分析

因Coss，开关过程中实际电压及电流波形与理想波形有差异；

 

理想状态

工程简化式，VDS在t7内线性地最小值上升至输入电压，t8内电流线性地最大值降到0；

 

实际状态

Coss影响，小部份电流流过Coss，大部分流过MOS场效应管，Coss充电速度慢，VDS电流上升速率慢；

有Coss，关断时，因电容电压不能变，VDS电压维持低电压，即ZVS，0电压关断，功率损耗小；

 

开通中，因Coss，电容电压不能变，VDS维持高电压，功率损耗大；

 

理想状态

工程简化式，关断与开通损耗相同，

实际状态

关断损耗 <开通损耗

Coss把大部分关断损耗转移到开通损耗，总开关功率损耗相同；

在DS极额外并联大电容或Coss越大，关断MOS场效应管接近理想ZVS，关断损耗越小，很多能量通过Coss转移到开通损耗中。

MOS场效应管开关整个周期工作在ZVS，因此利用电路特性和外部条件，实现开通过程ZVS;