绝缘栅型场效应管MOS管内部结构-mos管场效应管知识-竟业电子

绝缘栅型场效应管结构如下图所示：

绝缘栅型场效应管：增强型+耗尽型

 

 

与结型场效应管结构区别：

栅极从Si02引出，与源极和漏极是绝缘的。

 

绝缘栅型场效应管特点：

1.输入电阻高，1 * 10  12Ω以上；

2.输入电流几乎为零；

 

分类：

N 沟道+P 沟道

N 沟道分类：增强型+耗尽型

P 沟道分类:增强型+耗尽型

如上图所示：

图a与图b结构都是在P型材料基层上扩散两个高掺杂的N 区，引出源极和漏极。

UGS = 0 漏源极存在导电沟道，即耗尽型绝缘栅型场效应管MOS管;

I UGS l > o 形成导电沟道，即增强型绝缘栅型场效应管MOS管；

 

如上图所示：

从材料底基片引出衬底B极

B极在分立电子元器件中，把它与源、极S 相连；

 

绝缘栅型场效应管MOS管四种类型的符号如下图所示：