英飞凌BSZ086P03NS3 G功能应用参数-mos场效应管-竟业电子

英飞凌Infineon的高度创新OptiMOS™ 家庭包括p通道电源MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范（如状态电阻和性能特征图）中最高质量和性能要求。

 

英飞凌mos场效应管BSZ086P03NS3 G功能概述

1.增强模式

2.正常电平、逻辑电平或超级逻辑电平

3.雪崩额定值

4.无铅电镀；符合RoHS

潜在应用

1.消费者

2.直流-直流

3.易感性

4.电机控制

5.笔记本电脑

6.车载充电器

 

英飞凌mos场效应管BSZ086P03NS3 G参数