NMOS管高端驱动电路-NMOS管推挽驱动电路分析-竟业电子

MOS场效应管驱动电路

如下图所示：

 

V1=V2=5V 

Q1、Q4导通，Q2截止；

VCC → D2 → Q4→ D1→ R4→ Q3栅极，导通；

Q6、Q7截止，Q8导通，提供Q5栅极放电回路，Q5截止；

 

V1=V2=0V

Q1、Q4截止，Q2导通，提供Q3栅极放电回路放电；

电流→ Q2 → Q5→ 接地；

Q6、Q7导通，Q8截止；

VCC→ Q7→ 电阻R1→ Q5栅极，导通；

实际：V1与V2保持同相可避免上下管同时导通；

 

NMOS管推挽驱动电路

如下所示

 

V1=3.3V

Q3导通，P1低电平，Q2截止；

Q4导通，提供Q1栅极放电回路

P2低电平，Q1截止；

 

V1=0V

Q3截止，电阻R2将P1钳位在高电平，Q2导通、Q4截止，

Q2导通提供Q1栅极充电电路，

P2高电平，Q1导通；

 

NMOS管电容自举驱动电路

如下图所示

 

 

VCC → 二极管D2 → 电容C2 → 电阻R1 → 接地

加载在电容C2两端电压=14V

 

V1输入高电平，Q1、Q4导通；

B输出高电平，Q2截止；

C输出高电平，Q3导通；

D输出高电平48V，

C2两端电压=14V，Q3导通，让电容C2正极电压=62V，

经过三极管Q4、二极管D1到达Q3栅极

电容C2作用：自举抬升电压，Q3持续导通；

 

V1输入低电平，Q1、Q4截止；

B输出低电平，Q2导通，提供Q3栅极放电电路

栅极电压过Q2、电阻R1放电，

电容C2负极电压≈0V，

D输出低电平；