英飞凌mos场效应管 CoolMOS™ CE适用于硬开关和软开关应用，作为现代超结，它提供低传导和开关损耗，提高效率，并最终降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS™ CE结合了最佳的Rds（on）和适用于移动电话和平板电脑的低功耗充电器的封装产品。 英飞凌mos场效应管IPA60R460CE功能概述 1.典型值与最大值之间的窄间隙（开） 2.输出电容（E oss）中存储的能量减少 3.良好的体二极管耐用性和减少的反向恢复电荷（Q rr） 4.优化的集成R g 优势 1.低传导损耗 2.低开关损耗 3.适用于硬开关和软开关 4.易于控制的切换行为 5.提高效率，从而降低功耗 6.减少设计工作量 7.易于使用 应用 1.笔记本电脑和笔记本适配器 2.低功率充电器 3.照明 4.LCD和LED电视

500V CoolMOS™ CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的前提下，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最好的性价比。 英飞凌mos场效应管IPA50R380CE特征概述 1.输出电容（E oss）中存储的能量减少 2.高体二极管耐用性 3.减少反向恢复费用（Q rr） 4.降低栅极电荷（Q g）

MOS场效应管2N54572N5457压控增益电路，MOS场效应管2N5457应用 1.变压电阻 2.运算放大器差分输入端间 电子增益控制良好环境决定因素 如下： 1.电阻值：运算放大器决定的； 2.多个十进制电阻，电阻参数变化与电压线性关系；

500V CoolMOS™ CE 是一个价格性能优化平台，通过仍然满足最高效率标准，可以针对消费者和照明市场中的成本敏感应用程序。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有好处，同时不牺牲易用性，并提供市场上可用的最佳成本降低性能比。 英飞凌mos场效应管IPA50R280CE功能概述 1.输出电容（E oss）中存储的能量减少 2.高体二极管耐用性 3.减少反向恢复费用（Q rr） 4.降低栅极电荷（Q g）

场效应管六端开关电路，上电路图 六端场效应管可接通直流回路马达，灯泡或继电器等； 此开关电路可控制电阻器接地与否； 下电路图  等待接电阻性负载：R1+R2+R3；

定时闪光电路用场效应管驱动，用很少的电子元器件即可组成一个循环光定时控制电路。电路构成：脉冲分配器=CMOS十进制计数器 4017+MOS管时基电路7555+末级V MOS功率品体管； 灯泡和电源+UN间电阻Rv作用：限制接通电流； 功率晶体管：控制最大电流2A灯泡 时基电路频率：电位器RP调整≈0.5~10Hz 9级循环寄存器：通过时钟输入端由方波输出信号控制，让各输出端依次变为高电平；

场效应管自激振动电路优势 1.构造简约； 2.器件简约； 3.成本低；，场效应管自激振动工作原理 1.电压过整流滤波，C606得300V分配脉动直流电压，过R616→L611→加到场效应管V610漏极； 2.偏置电阻R610+R613向V610提供栅极电流，V610微导通漏极电流→R680→L612→L621→开关变压器⑵⑿绕组→负载，一起发作⑵为正，⑿为负感生电动势，在反响绕组上发作⑵为负，⒀为正感生电动势，过 C613→R612→V610向栅极G提供正反响电流，V610导通，丰满; 3.V610丰满阶段，漏极电流改动率开端降低，正反响电容C613充电电流减小，V610栅极正反响电压开端降低，开关变压器绕组中发作极性相反感生电动势，主绕组上发作⑵为负，⑿为正电压，反响绕组上发作⑵为正，⒀为负电压，负反响让V610通导活络→截止； 

高压侧电源开关，集成垂直功率场效应晶体管，提供嵌入式保护和诊断功能。 英飞凌MOS场效应管BTS6143D功能概述 1.带闩锁的短路保护 2.电流限制 3.过载保护 4.重启时热关机 5.过电压保护（包括甩负荷） 6.失去接地保护 7.失去Vbb保护（带充电感性负载的外部二极管） 8.非常低的待机电流 9.感应负载快速消磁 10.静电放电（ESD）保护 11.优化的静态电磁兼容性（EMC） 12.绿色产品（符合RoHS） 13.AEC认证 优势 1.高负载电流能力 2.高涌流能力 3.高能量能力 4.集成保护功能 5.集成诊断功能 应用 1.车身和便利性 2.汽车照明 3.配电 4.继电器更换 5.保险丝更换 6.加热应用

什么是模拟开关 它是开关晶体管，用控制信号来控制开与关，起到开关作用， 组成：场效应晶体管+晶体二极管+晶体管 模拟开关电路 是能让模拟信号通过或断开的电路 应用 计算机+自动控制+测量仪器等电子设备+通信+雷达 场效应晶体管模拟开关电路,场效应晶体管 T是开关电子元器件 栅极电压uG是高电位，T导通  电流ID在电阻RD两端产生压降uD，开关接通； uG是低电位，T截止，ID=0 uD=0   开关断开 如上图所示， 场效应晶体管4个，集成模拟开关电路，传送4路模拟信号； G1～G4是控制端, D1～D4和S1～S4是开关端 把每个管子源极S1～S4连接，即多路转换开关，也称共源组合； 把每个管子栅极G1～G4连接，即多路传输开关，也称共栅组合；

英飞凌mos场效应管BTS5215L是一款集成垂直功率场效应晶体管（FET）的高压侧电源开关，提供嵌入式保护和诊断功能。 英飞凌mos场效应管BTS5215L功能概述 1.非常低的待机电流 2.CMOS兼容输入 3.改善电磁兼容性（EMC） 4.感应负载的快速消磁 5.欠电压下的稳定行为 6.宽范围工作电压 7.独立于负载接地的逻辑接地 优势 1.高压能力 2.基准能源稳健性 潜在应用 1.身体和便利 2.卡车和农用车辆解决方案（24V）