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电子元器件百科

  • NMOS管导通特性-PMOS管导通特性-竟业电子
    NMOS管导通特性-PMOS管导通特性-竟业电子
    NMOS管导通特性: Vgs  > 一定值, 导通; 应用:源极S接地,低端驱动,栅极电压=4V或10V;  实际应用:栅极电压 > 4V或10V,才可完全导通; PMOS管导通特性: Vgs < 一定值,导通; 应用:源极接VCC,高端驱动;  缺点:导通电阻大,成本高; NMOS与PMOS开关管损耗 导通后有导通电阻,电流在此电阻耗量,即导通损耗; 应用选择时,选择导通电阻小MOS管来减小导通损耗;  导通和截止,并不是在瞬间完成, MOS管两端电压有下降,电流上升过程,出现开关损耗=电压与电流乘积; 开关频率越高,损耗越大; 减小开关损耗: 1.缩短开关时间:减小每次导通时损耗; 2.降低开关频率:减小单位时间内开关次数;

    时间:2020/8/25 关键词:MOS管

  • NMOS驱动电路分析-mos管知识-竟业电子
    NMOS驱动电路分析-mos管知识-竟业电子
    低压应用+宽电压应用+双电压应用 低压应用:5V电源,用传统图腾柱结构,因三极管be 0.7V压降,因此实际加gate上电压4.3V。若选gate电压4.5V MOS管会有风险; 宽电压应用:输入电压不是固定值,随时间或其它因素而变化。 此变化导致PWM电路提供给MOS管驱动电压不稳定; 双电压应用:控制电路,逻辑部分使用5V或3.3V数字电压,功率部分使用≥12V电压。 两个电压用共地方式连接。

    时间:2020/8/24 关键词:mos管

  • 大功率mos管驱动芯片结构及构成原理-MOS管知识-竟业电子
    大功率mos管驱动芯片结构及构成原理-MOS管知识-竟业电子
    一块掺杂浓度较低P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。 在漏极与源极间P型半导体表面复盖一层很薄二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在绝缘层膜上装一个铝电极,为栅极G。 以此构成N沟道(NPN型)增强型MOS管。 栅极与电极间绝缘。 A=结构图 B=符号

    时间:2020/8/21 关键词:mos管

  • 英飞凌BSC054N04NS G参数应用-mos管场效应管-竟业电子
    英飞凌BSC054N04NS G参数应用-mos管场效应管-竟业电子
    OptiMOS™ 40V是开关电源(SMP)中同步整流的理想选择,例如服务器和台式机中的SMP。此外,这些器件可用于广泛的工业应用,包括电机控制和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌mos管场效应管BSC054N04NS G功能概述 1.出色的门极充电x R DS(on)产品(FOM) 2.极低导通电阻Rds(on) 3.适用于快速切换应用 4.符合RoHS标准-无卤素 5.MSL1额定值 优势 1.最高的系统效率 2.不需要并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.极低电压过冲

    时间:2020/8/20 关键词:mos管场效应管

  • 场效应管崩溃效应在电源应用分析-场效应管知识-竟业电子
    场效应管崩溃效应在电源应用分析-场效应管知识-竟业电子
    评估场效应管崩溃效应以单一脉冲基准 单一脉冲 UIS安全工作范围 UIS全称:Unclamped InducTIve Switching 先定义针对被测试组件基本参数 崩溃时间内所流经场效管最大峰值电流 IAS UIS 开始前起始接合面温度 Tj 崩溃时所经过的时间 tAV IAS 、tAV 对应出来图表曲线可了解此组件针对 UIS 表现能力 , 提供客观公正衡量依据。

    时间:2020/8/19 关键词:场效应管

  • 英飞凌BSC052N08NS5参数应用-mos管场效应管-竟业电子
    英飞凌BSC052N08NS5参数应用-mos管场效应管-竟业电子
    英飞凌mos管场效应管BSC052N08NS5功能概述 1.优化同步整流 2.适用于高开关频率 3.输出电容减少高达44% 3.R DS(on)减少高达44% 优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.不需要并联 4.功率密度增加 5.低电压过冲 应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器

    时间:2020/8/18 关键词:mos管场效应管

  • MCT基本结构及工作特性-MCT与MOS场效应管关系-竟业电子
    MCT基本结构及工作特性-MCT与MOS场效应管关系-竟业电子
    MCT是一种新型MOS/双极复合电子元器件; 即在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量MOS开关,通过MOS开关的通与断来控制晶闸管开与关; MCT基本结构 分类:P型+N型+对称/不对称关断+单端/双端关断场效应管门极控制+不同导通选择 以上类别共同点:通过关断场效应管让晶闸管发射极-基极结短路完成MCT关断; P型不对称关断MOS门极的MCT

    时间:2020/8/14 关键词:MOS场效应管

  • 电压反向开关及跳耦型MOS开关电容滤波器类型-竟业电子
    电压反向开关及跳耦型MOS开关电容滤波器类型-竟业电子
    电压反向开关型MOS开关电容滤波器 用LC滤波器为原型电路,用开关电容等效元件替换模拟元件。 电路工作要求:用“电压反向开关”控制电容网络中的电荷流动,使等效元件内部开关动作时元件所构成的环路中没有电荷流动。 “电压反向开关” 下图a:用运算放大器构成的电压跟随器形式的电压反向开关; 下图b:它电路符号。 工作过程: 开关K1闭合、K2打开:因电压跟随作用,uH=ua; uH=电容器CH电压 Ua=输入电压 开关K1打开,K2闭合时: 电容CH电压反向加在运算放大器输入端。 因:运算放大器虚短路,在每个开关周期内,端口上电压恰好反向。

    时间:2020/8/12 关键词:MOS

  • MOS开关电容滤波器原理应用设计及电路图-竟业电子
    MOS开关电容滤波器原理应用设计及电路图-竟业电子
    开关电容滤波器的原理 电路两节点间接有带高速开关电容器,相当于两节点间连接一个电阻; 开关电容滤波器(SCF电路是采样数据系统,直接处理模拟连续信号; 开关K置于左边时,信号电压源u1向电容器C1充电; K倒向右边时,电容器C1向电压源u2放电。 开关 > 信号频率fc工作,C1在u1和u2两个电压节点间交替换接,

    时间:2020/8/11 关键词:MOS

  • 场效应管好坏电极-三极管三脚电极如何判断-竟业电子
    场效应管好坏电极-三极管三脚电极如何判断-竟业电子
    MOS型场效应管好与坏 用万用表则好与坏 内置有9V或15V电池 万用表:R×10kΩ挡,把负表笔黑接栅极G,正表笔红接源极S。 给栅极,源极间充电,万用表指针有轻微偏转。 万用表:R×1Ω挡,负表笔接漏极D,正笔接源极S,万用表指示值=几欧姆, 结果:场效应管好 结型场效应管电极如何判断 万用表:R×100档, 红表笔接一个脚管,黑表笔接另一个脚管,使第三脚空。 表针:轻微摆动,第三脚=栅极; 人体判断:人体接近第三脚,表针:大幅度偏转,第三脚=栅极; 余二脚:分源极+漏极;

    时间:2020/8/7 关键词:场效应管三极管

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