电路功率消耗源 1.逻辑转换引起逻辑门对负载电容充电及放电功率消耗； 2.逻辑门瞬时短路电流功率消耗； 3.电子元器件漏电流消耗； 每进一次新制造技术会导致漏电流增加20倍，漏电流引起消耗是功率消耗主因。降低功耗 1.减小电源电压 2.调整晶体管尺寸 3.并行和流水线系统结构，利用睡眠模式，采用电路；

mos管在并联电路中每一个MOS管均流必须注意的事项： 无论在开通，关断，导通过程中流过MOS管，电流都会让MOS管工作在安全区内，MOS管安全作用得保障。MOS管并联均流技术，可以保证MOS管工作在安全工作区内，可提高并联电路工作可靠性。 1.开通Td(on)与关断延迟时间td(off)： 开通上升、关断下降时间，在同一驱动脉冲作用下，开通、关断、上升、下降不同 ， 引起MOS管开通或关断时刻不同，引起先开通或后关断的MOS 管流过整个回路电流，此时电流偏大，不限制，对MOS 管安全工作造成威胁。 2.开启电压VGSth 同一驱动脉冲作用，开启电压不同，引起MOS管开通时间不同，引起先开通MOS管先流过整个回路电流，此刻电流很大，应该限制，不然后对MOS管安全工作造成威胁；

MOS管栅极控制晶闸管结构 1.MOS场控晶闸管（MCT）； 2.基极电阻控制晶闸管(BRT)； 3.射极开关晶闸管(EST)；MCT优势 1.阻断电压高，可达4000V； 2.通态压降小； 3.驱动功率低； 4.开关速度快，超过GTR； 5.开关损耗；

开关MOS管电阻损耗计算公式如下： PDRESISTIVE=［ILOAD2×RDS（ON）HOT］×（VOUT/VIN） 与同步整流器计算方法差不多。 开关MOS管损耗计算公式 PDSWITCHING=（CRSS×VIN2×fSW×ILOAD）/IGATE  CRSS=MOS管反向转换电容（一个性能参数） fSW=开关频率 考虑成本：选择比较少，某一代MOS管功率耗散最小且具有相等电阻损耗和开关损耗的型号; 如用更小，更快的MOS管，电阻损耗增加幅度 > 开关损耗减小幅度 如用更大RDS（ON）低MOS管，开关损耗增加幅度 > 电阻损耗减小幅度

整流滤波电路： 组成：整流桥堆UR+整流二极管VD1+VD2和滤波电容C1+C3 稳压电路： 组成：电阻（R1+R3+R5）+稳压二极管VS2+晶体管V+二极管VD3+滤波电容C2+三端稳压集成电路（IC1+IC2) 交流220V电压—UR整流—C3滤波分叉： 1.经VD1—R2—VF漏极 2.经VD2—R4—VF栅极 VF导通 接电源：RP电压低，截止状态：VD3，V； VF源极输出电压对C2快速充电； RP电压=一定值，导通VD3，V VF截止，对C2充电暂停； 调节RP阻值改变C2充电时间，即可调节输出电压大小； 将C2两端电压调至15V，当电压经IC1及IC2稳压，即可得需稳定电压：9V，12V； 注意：此开开关稳压电路底板带电。

CPLD保护电路 原理：对输入MOS管电路的典型异常信号（连续波信号+短周期脉冲信号+高电平长脉冲信号）进行输入保护。 异常输入信号：连续波信号+短周期脉冲信号+高电平长脉冲信号组成； 如：连续波信号 > 10ms脉冲宽度信号  短周期脉冲信号 < 200ms脉冲周期信号 其它参数异常信号，通过简单设置软件计数器改变 保护功能与时序： DSP电路为保护电路输入连续高电平，保护电路以第一个上升沿为基准，检测10kHz频率信号第一个周期100μs，如无下跳沿，保护输出50μs长高电平后,关闭输出端口，保持低电平。

OptiMOS™ 是发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动汽车）的高效解决方案的市场领导者。 英飞凌场效应管MOS管BSC047N08NS3 G功能概述 1.DC-DC转换器的优化技术 2.出色的门极充电x R DS（ON）产品（FOM） 3.卓越的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.低轮廓（<0,7mm） 7.N通道，正常电平 8.100%雪崩测试 9.无铅电镀；符合RoHS

MOS管加下拉电阻作用 下拉电阻与泄放电阻作用相同，保护MOS管；三极管加下拉电阻作用 作用：可增加电路可靠性； 注意：下拉电阻值不能太大，也不能太小； 过大：会让基极电流不足以驱动三极管； 过小：致偏置电压 < 三极管d导通电压; 下拉电阻值 ≤100K； 此外，有时在高速信号开关电路中，与下拉电阻并联电容，提高性能；

OptiMOS™ 60V是开关电源（SMP）中同步整流的理想选择，例如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微逆变器和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌场效应管mos管BSC031N06NS3 G功能概述 1.出色的门极充电x R DS（on）产品（FOM） 2.极低导通电阻Rds（on） 3.适用于快速切换应用 4.符合RoHS标准-无卤素 5.MSL1额定值

Coolmos是什么 Coolmos是英飞凌推出，是C3系列最有代表性新品； Coolmos优势： 1.Coolmos的RDS（ON）是普通MOS管一半； 2.可降低损耗，提高效率；  3.同功率封装小，电源可缩小； 4.栅极开启电压限高，搞干扰能力强； 5.栅极电荷小，驱动功率小； 6.节电容小，开关损耗小；