因Coss，开关过程中实际电压及电流波形与理想波形有差异； 理想状态 工程简化式，VDS在t7内线性地最小值上升至输入电压，t8内电流线性地最大值降到0； 实际状态 Coss影响，小部份电流流过Coss，大部分流过MOS场效应管，Coss充电速度慢，VDS电流上升速率慢； 有Coss，关断时，因电容电压不能变，VDS电压维持低电压，即ZVS，0电压关断，功率损耗小； 开通中，因Coss，电容电压不能变，VDS维持高电压，功率损耗大； 理想状态 工程简化式，关断与开通损耗相同， 实际状态 关断损耗 <开通损耗 Coss把大部分关断损耗转移到开通损耗，总开关功率损耗相同；

集成肖特基二极管N沟道MOS场效应管30 V 安森美ON 集成肖特基二极管30 V  型号：NTMFS4897NF+NTMFS4898NF+NTMFS4899NF 10 V时：最大导通阻抗值2MΩ+3 MΩ+5MΩ 封装：低热阻抗紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL 应用于降压转换器，可达高电源能效 Vgs=4.5 V，典型门电荷39.6(nC)+25.6 nC+12.2 nC，超低开关损耗； Vgs=门极-源极电压 应用 电信网络设施+个人计算机PC+笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换+负载点(POL)转换+低端开关操作+服务器+电信网络设施；

变流器中的MOS场效应管 MOS场效应管导通电阻因栅电压变化而变化，随栅电压上升其下降，栅电压=一定值，导通电阻值不变，即充分导通； MOS场效应管不同耐压充分导通栅电压不同，耐压越高充分导通栅电压越低； 如：MOS场效应管 耐压=200V 充分导通，栅电压>16V； 耐压=500V 充分导通，栅电压>12V； 耐压=1000V充分导通，栅电压>8V； 因耐压<200V，栅驱动电压＝17~18V 耐压=500V 栅驱动电压＝15V 耐压=1000V  栅驱动电压＝12V；

20V P沟道功率MOS场效应管即SiA433EDJ 封装：2mm×2mm热增强PowerPAKSC-70 它的导通电阻是传统的一半； 如：4.5V导通电阻18mΩ 2.5V导通电阻26mΩ  1.8V 导通电阻65mΩ 技术：自矫正，每平方英寸硅片装1亿晶体管+精细+亚微米间距工艺； 此MOS场效应管有12V栅源电压+1.8V额定电压导通20V电子元器件； 应用于：尖峰+噪声+浪涌+过压致高栅极驱动电压波动； 因减少ESD故障，内置齐纳二极管，ESD保护提高到1800V；

最小体积保护式低压侧MOS场效应管，ZXMS6004FF； 它用封装：2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F，与封装SOT223比，可节省空间85%； SOT23F扁平封装体积小，但它的性能一定也不受影响，甚至散热性能更好，可让ZXMS6004FF封装功率密度是同类大封装电子元器的三倍； IntelliFET导通电阻=500mΩ 功耗在绝对极小值； ZXMS6004FF是把过压+过流+过温保护+静电放电等集成在高散热效率封装内，它保护了元件和负载，并减少电子无器件数量，印刷电路板的尺寸+成本；

CoolMOS™  CE适用于硬开关和软开关应用，作为现代超结，它提供低传导和开关损耗，提高效率，并最终降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS™ CE结合了最佳的Rds（on）和适用于移动电话和平板电脑的低功耗充电器的封装产品。 英飞凌mos场效应管IPA65R1K0CE功能概述 1.典型值与最大值之间的窄间隙（开） 2.输出电容（E oss）中存储的能量减少 3.良好的体二极管耐用性和减少的反向恢复电荷（Q rr） 4.优化的集成R g 优势 1.低传导损耗 2.低开关损耗 3.适用于硬开关和软开关 4.易于控制的切换行为 5.提高效率，从而降低功耗 6.减少设计工作量 7.易于使用 英飞凌mos场效应管IPA65R1K0CE潜在应用 1.笔记本电脑和笔记本适配器 2.低功率充电器 3.照明 3.LCD和LED电视

更换650V CoolMOS™ CFD2为600V CoolMOS™ CFD7型 650V CoolMOS公司™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管MOSFET。CFD2器件是600V CFD的后续产品，具有更高的能效。较软的换向行为，因此更好的电磁干扰行为，使该产品明显优于竞争对手的部件。 英飞凌mos场效应管IPA65R150CFD功能概述 1.650V技术，集成快速体二极管 2.硬换相期间的有限电压过冲 3.与600V CFD技术相比，Qg显著降低 4.更紧密的RDS（开）最大值到RDS（开）典型窗口 5.易于设计 6.与600V CFD技术相比价格更低 英飞凌mos场效应管IPA65R150CFD优势 1.由于体二极管重复换向时的低Qrr，开关损耗低 2.自限di/dt和dv/dt 3.低质量 4.减少开启和开启延迟时间 5.出色的CoolMOS™ 质量

CoolMOS™ CE适用于硬开关和软开关应用，作为现代超结，它提供低传导和开关损耗，提高效率，并最终降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS™ CE结合了最佳的Rds（on）和适用于移动电话和平板电脑的低功耗充电器的封装产品。 英飞凌MOS场效应管IPA60R800CE功能概述 1.典型值与最大值之间的窄间隙（开） 2.输出电容（E oss）中存储的能量减少 3.良好的体二极管耐用性和减少的反向恢复电荷（Q rr） 4.优化的集成R g 英飞凌MOS场效应管IPA60R800CE优势 1.低传导损耗 2.低开关损耗 3.适用于硬开关和软开关 4.易于控制的切换行为 5.提高效率，从而降低功耗 6.减少设计工作量 7.易于使用

CoolMOS™ CE适用于硬开关和软开关应用，作为现代超结，它提供低传导和开关损耗，提高效率，并最终降低功耗。600V、650V和700V CoolMOS™ 将平板电脑和充电器（CE）与低功耗产品组合在一起。 英飞凌mos场效应管IPA60R650CE功能概述 •典型值与最大值之间的窄间隙（开） •输出电容（E oss）中存储的能量减少 •良好的体二极管耐用性和减少的反向恢复电荷（Q rr） •优化的集成R g 优势 低传导损耗 •低开关损耗 •适用于硬开关和软开关 •易于控制的切换行为 •提高效率，从而降低功耗 •减少设计工作量 •易于使用 英飞凌mos场效应管IPA60R650CE潜在应用 •笔记本电脑和笔记本适配器 •低功率充电器 •照明 •LCD和LED电视

CoolMOS™ E6将英飞凌作为领先的超结MOS场效应管供应商的经验与一流的创新相结合。所提供的器件提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。 600伏CoolMOS™ E6是600V CoolMOS™ 的替代品C3 650V CoolMOS公司™ E6是650V CoolMOS™ 的替代品 C3 英飞凌MOS场效应管IPA60R600E6功能概述 1.易于控制切换行为 2.非常高的换向耐用性 3.由于价值系数非常低（R DS（ON）*Q g）和E oss，损失极低 4.易于使用 5.与C3相比，轻载效率更好 6.卓越的可靠性和久经考验的CoolMOS™ 质量与高体二极管耐用性相结合 7.与以前的CoolMOS相比，性价比更高™ 几代人 8.更高效、更紧凑、更轻、更凉爽