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电子元器件百科

  • 英飞凌BSZ086P03NS3 G功能应用参数-mos场效应管-竟业电子
    英飞凌BSZ086P03NS3 G功能应用参数-mos场效应管-竟业电子
    英飞凌Infineon的高度创新OptiMOS™ 家庭包括p通道电源MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范(如状态电阻和性能特征图)中最高质量和性能要求。 英飞凌mos场效应管BSZ086P03NS3 G功能概述 1.增强模式 2.正常电平、逻辑电平或超级逻辑电平 3.雪崩额定值 4.无铅电镀;符合RoHS 潜在应用 1.消费者 2.直流-直流 3.易感性 4.电机控制 5.笔记本电脑 6.车载充电器

    时间:2020/9/28 关键词:

  • 场效应管命名规则-场效应管知识-竟业电子
    场效应管命名规则-场效应管知识-竟业电子
    1.CSXX# CS:代表场效应管  XX:以数字代表型号序号 #:用字母代表同一型号中不同规格 如CS14A、CS45G; 2.与双极型三极管相同 第三位字母J:表示结型场效应管 O:表示绝缘栅场效应管 第二位字母:表示材料 D:P型硅 反型层:N沟道 C:N型硅P沟道 如:3DJ6D意思是:结型N沟道场效应三极管 3DO6C意思是:绝缘栅型N沟道场效应三极管

    时间:2020/9/27 关键词:场效应管

  • 英飞凌BSZ050N03MS G功能应用参数-mos场效应管-竟业电子
    英飞凌BSZ050N03MS G功能应用参数-mos场效应管-竟业电子
    超低的栅极和输出电荷,再加上小尺寸封装中最低的导通电阻,使得OptiMOS™成为可能 25V是满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案要求的最佳选择。OptiMOS™ 30V产品通过改善EMI行为以及延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需要。提供半桥配置(功率级5x6) 英飞凌mos场效应管BSZ050N03MS G功能概述 1.超低栅极和输出电荷 2.小尺寸封装中的导通状态电阻最低 3.易于设计 优势 1.延长电池寿命 2.改善EMI行为,使外部缓冲网络过时 3.节约成本 4.节省空间 5.减少功率损耗

    时间:2020/9/24 关键词:mos场效应管

  • 绝缘栅型场效应管MOS管内部结构-mos管场效应管知识-竟业电子
    绝缘栅型场效应管MOS管内部结构-mos管场效应管知识-竟业电子
    绝缘栅型场效应管结构,与结型场效应管结构区别:栅极从Si02引出,与源极和漏极是绝缘的。图a与图b结构都是在P型材料基层上扩散两个高掺杂的N 区,引出源极和漏极。从材料底基片引出衬底B极 B极在分立电子元器件中,把它与源、极S 相连;

    时间:2020/9/23 关键词:场效应管

  • 英飞凌BSZ068N06NS功能应用参数-MOS场效应管-竟业电子
    英飞凌BSZ068N06NS功能应用参数-MOS场效应管-竟业电子
    OptiMOS™ 560V适用于开关模式电源(SMP)的同步整流,如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外,这些器件是一个理想的选择,广泛的工业应用,包括电机控制,太阳能微型逆变器和快速开关直流-直流变换器。 英飞凌MOS场效应管BSZ068N06NS功能概述 1.优化同步整流 2.比替代设备低40%(开) 3.FOM比同类设备提高40% 4.符合RoHS标准-无卤素 5.MSL1额定值 优势 1.最高的系统效率 2.不需要并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.极低电压过冲

    时间:2020/9/21 关键词:MOS场效应管

  • 多点控制场效应管电子开关工作原理分析-场效应管知识-竟业电子
    多点控制场效应管电子开关工作原理分析-场效应管知识-竟业电子
    这个电路是约翰·伦德格伦改编“拨动开关去抖的按钮” 这个设置要有从一个位置接通+另一个位置关掉负载 1.开关按下,1uF电容连接220欧姆和33K电阻连接点,NPN晶体管截止,场效应管导通开启负载; 2.断开按钮,1uF电容通过1M电阻充电; 3.第二次按下开关,1uF电容充电后的电压被加载到NPN晶体管基极,晶体管导通,场效应管关闭,负载断电; 4.在晶体管的基极加入0.1uF电容,拦截噪声可能造成的误触发;

    时间:2020/9/18 关键词:场效应管

  • 结型栅场效应管与绝缘栅场效管间关系-竟业电子
    结型栅场效应管与绝缘栅场效管间关系-竟业电子
    在应用应该电路中 结型栅场效应管JFET可用绝缘栅型场效应管代替; 绝缘栅增强型场效管不可用结型栅场效应管代替;场效应管在制造时,在栅极材料加入,前在沟道上加一层很薄绝缘层,可减小栅极电流,增加输入阻抗,可使场效应管工作在正偏置状态,即绝缘栅型场效应管MOSFET; 因此:场效应管=绝缘栅型场效应管MOSFET+结型栅型效应管JFET 结型栅型效应管JFET只工作在反向偏置状态;

    时间:2020/9/17 关键词:场效应管

  • mos场效应管焊接应该注意哪些-mos场效应管知识-竟业电子
    mos场效应管焊接应该注意哪些-mos场效应管知识-竟业电子
    Mos场效应管特别容易被击穿 原因:栅极处于高度绝缘状态,栅极与衬底间像一个容量小的电容器,小容量,若感应少量电荷,电压会很高,栅极高度绝缘,输入阻抗高,电荷放掉不容易,因此绝缘层被击穿容易的多。 Mos场效应管焊接应该注意哪 1.焊接前,请认清mos场效应管的三个引脚; 2.焊接所需的电烙铁,它的外表要可靠的接地; 3.焊顺序:S极—G极—D极; 4.焊接时,让电烙铁发热,再拔掉插头,用电烙铁余热焊接,以防止过热焊坏; 5.若:三引脚已导线短接,先焊好在解除绕导线; 6.检测mos场效应管仪器,外表请接地; 7.如果mos场效应管对内部没有做保护,存放时三极短接在一起,栅极不可悬空;

    时间:2020/9/16 关键词:mos场效应管

  • 英飞凌AUIPS2051LTR应用图表参数-mos场效应管知识-竟业电子
    英飞凌AUIPS2051LTR应用图表参数-mos场效应管知识-竟业电子
    AUIPS2051L/AUIPS2052G是一种三端智能电源开关(IPS),具有低侧MOSFET,具有过流、过温、ESD保护和漏源有源箝位。AUIPS2052是双通道设备,而AUIPS2051是单通道设备频道。这个该设备提供保护和在恶劣环境下所需的高可靠性。 当温度超过165°C或漏极电流达到1.8A时,该开关通过关闭功率MOSFET来提供有效的保护。一旦输入循环,设备将重新启动。连接到输入端的串行电阻提供诊断。雪崩能力是显著增强的主动钳位和涵盖大多数电感负载消磁。 英飞凌mos场效应管AUIPS2051LTR优势 1.超温停机 2.过电流关机 3.主动夹紧 4.低电流和逻辑电平输入 5.ESD保护 6.EMI的优化开/关 7.输入电流诊断 英飞凌mos场效应管AUIPS2051LTR应用 1.主动悬架 2.制动 3.接线盒

    时间:2020/9/15 关键词:mos场效应管

  • 场效应管结构图和晶体管结构图-场效应管晶体管特点区别-竟业电子
    场效应管结构图和晶体管结构图-场效应管晶体管特点区别-竟业电子
    晶体管:英文transistor 一切以半导体材料为基础的单一电子元器件,包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。 晶体管有时多指晶体三极管。场效应晶体管:英文Field Effect Transistor缩写FET  简称场效应管。 主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)+金属 氧化物半导体场效应管metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET。 由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。

    时间:2020/9/14 关键词:场效应管

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