低功耗，低功耗，低功耗™ 25V是满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案要求的最佳选择。擎天柱™ 30V产品通过改善EMI行为以及延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需要。提供半桥配置（功率级5x6） 英飞凌MOS管场效应管BSC030N03MS G功能概述 1.超低栅极和输出电荷 2.小尺寸封装中的导通状态电阻最低 3.易于设计 优势 1.延长电池寿命 2.改善EMI行为，使外部缓冲网络过时 3.节约成本 4.节省空间 5.减少功率损耗

英飞凌的创新产品服务于整个能源供应链的市场需求。OptiMOS™ 是发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动汽车）的高效解决方案的市场领导者。英飞凌MOS管场效应管BSC026N02KS G功能概述 1.用于快速开关变换器和同步整流 2.根据JEDEC对目标应用进行鉴定 3.超逻辑电平2.5V额定值 4.出色的门极充电x R DS（on）产品（FOM） 5.非常低的导通状态电阻Rds（on） 6.卓越的耐热性 7.雪崩额定值 8.无铅电镀，符合RoHS标准

理论：沟道“夹断” 实际：夹断点薄弱，夹断点支撑它并不是原来P型区域，而是电压升高吸引电子D极及其空间电荷区，因此电子冲入空间电荷区；饱和区：沟道“夹而不断”D极沟道越来越窄，高速电子过来，挤过夹断点进入空间电荷区，D极正电场高速收集，D极电压越高，夹断点越后退，电子难穿过，饱和区电流不再随电压增大而线性增大。

OptiMOS™ 25V产品系列，英飞凌infineon为分立功率MOSFET和封装系统的功率密度和能效设定了新标准。超低的栅极和输出电荷，再加上小尺寸封装中最低的导通电阻，使得OptiMOS成为可能™ 25V是满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案要求的最佳选择。提供半桥配置（功率级5x6）。 英飞凌MOS管场效应管BSC050NE2LS优势 1.通过减少多相转换器中的相数，节省总体系统成本 2.降低功率损耗，提高所有负载条件下的效率 3.使用最小的软件包（如CanPAK）节省空间™，S3O8或系统封装解决方案 4.尽量减少系统中的电磁干扰，使外部缓冲网络过时，产品易于设计

ROHM优势 1.栅极驱动器电路技术及封装技术； 2.构建变频器所需电子元器件综合可靠性; 3.支持大电流自产PrestoMOS，导通损耗降低，实现IPM化，减轻系统设计负担； 4.低电流范围损耗相比IGBT-IPM降低约43%，低功耗应用整体实现节能； 

栅极电涌与静电破坏 栅极-源极间有电压浪涌或是静电会引起损坏； 栅极过电压损坏，通电中静电：在G与S两端及安装，测定设备都带电，导致栅极被损坏；内置二极管被损坏 D极与S极两端间形成寄生二极管运行时，Flyback时MOS管寄生双极晶体管运行导致此二极管被损坏的模式。

超低的栅极和输出电荷，加上小封装中最低的导通电阻，使得OptiMOS™ 25V是服务器、数据通信和电信应用中对电压调节器解决方案的苛刻要求的最佳选择。OptiMOS™  30V产品通过改善EMI行为和延长电池寿命来适应笔记本电脑电源管理的需要。提供半桥配置（功率级5x6）场效应管MOS管BSC020N03LS G功能特征概要 1.超低栅极和输出电荷 2.小封装中的最低状态电阻 3.易于设计

什么是反相器 反相器是可将输入信号的相位反转180度; 应用：模拟电路，如：音频放大，时钟振荡器; CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成。 优势：互补结构; 应用：数字电路设计中

引起发MOS管发热的原因：过大电流导致发热； MOS管发热解决办法如下： 1.MOS管的选择：导通内阻小，过大电流； 当源极S与漏极D导通后，有导通电阻Rds（ON），此电阻值越大热量越大，它一般从几mΩ到几百mΩ； 2.MOS管类型选择：NMOS或 PMOS 相同规格，内阻值： NMOS  <  PMOS   成本：NMOS  <  PMOS 

mos管的GS波形振荡消除解决方案 1.让电阻R1值增加，R1≥2(L1/C1)^0.5，(选择接近临界阻值) 2.PCB走线寄生电感减小； 3.在布局布线时，让走线长度(整个驱动回路长度)越短越好+适当增加R1值；